1、ICS 29.120.50 K 31 国家标准和国=: .;、中华人民GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 代替GB/T13539.4-2005、GB/T13539. 7-2005 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求Low-voltage fuses-Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC 60269-4: 2006 , IDT) 2009-04-21发布中华人民共和国国家质量监督检验检
2、夜总局中国国家标准化管理委员会2009-11-01实施发布GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 目次I I 总则-2 术语和定义3 正常工作条件.4 分类5 熔断器特性-6 标志.57 设计的标准条件68 试验.附录A(资料性附录)熔断体和半导体设备的配合导则附录B(规范性附录)制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体的资料20附录c(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 目。吕GB 13539(低压熔断器预计分为五个部分:一二二第1部分:基本要求;二一第2部分
3、:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至1; 一二第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A至F;-一第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求;一一第5部分:低压熔断器应用指南。本部分为GB13539的第4部分，本部分等同采用IEC60269-4: 2006(低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求)(英文版)。为便于使用，本部分作了下列编辑性修改:删除国际标准的前言和引言;删除原表、图及部分条款下的编辑性注释;一一一原7.4中倒数第二行熔体不应熔化疑有误，改为熔断体不应熔断;一一原图
4、102约定试验装置举例中右图上标疑有误，改为。本部分与GB13539. 1 2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。本部分代替GB/T13539. 42005(低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求和GB/T13539. 72005(低压熔断器第4部分z半导体设备保护用熔断体的补充要求第1至3篇:标准化熔断体示例。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539. 7全部内容合并而成。本部分与GB/T13539. 42005和GB/T13539. 7-2005相比主要变化如下:一二原GB/T13539. 42005中附录A规范性附录改为资料性附录，原附
5、录B资料性附录改为规范性附录;原GB/T13539. 72005内容改为本部分附录C内容;一一图C.2表中原F最大值改为F名义值;一一图C.7表中最后一栏H最大值倒数第6行，原为0.4，现改为33.4。本部分的附录B、附录C为规范性附录，附录A为资料性附录。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口。本部分负责起草单位:上海电器科学研究所(集团)有限公司。本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。本部分主要起草人:季慧玉、吴庆云。本部分参加起草人:林海鸥
6、、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:GB 13539. 4 1992、GB/T13539.4-2005; -GB/T 13539. 72005 0 I GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求1 总则除GB13539. 1-2008规定外，补充下列要求。半导体设备保护用的熔断体应符合GB13539.1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。1. 1 范围和目的本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标
7、称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。注1:此类熔断体通常称为半导体熔断体。注2:在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定;组合设备是否适合作熔断器底座，应由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合GB13539. 1-2008的相关要求。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了za) 熔断体的下列特性:1) 额定值;2) 正常工作时的温升z3) 耗散功率;。时间-
8、电流特性55) 分断能力;6) 截断电流特性和J2t特性;7) 电弧电压极限值。b) 验证熔断体特性的型式试验;c) 熔断体标志;d) 应提供的技术数据(见附录B)。1. 2 规范性引用文件下列文件中的条款通过GB/T13539的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。GB/T 321-2005 优先数和优先数系(lSO3: 1973 , IDT) GB 13539. 1-2008低压熔断器第1部分:基
9、本要求(lEC60269-1: 2006 , IDT) GB/T 13539. 2- 2008 低压熔断器第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至I(lEC60269-2: 2006 , IDT) GB 13539. 3-2008 低压熔断器第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A至F(IEC60269一3:2006 , IDT) IEC 60417 设备用图形符号GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 2 术语和定义除GB13539. 1-2008规定外，
10、补充下列要求。2.2 一般术语2.2.101 半导体设备semiconductor device 基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种设备。IEV 521-04-01J 2.2.102 半导体熔断体semiconductor fuse-link 在规定条件下，可以分断其分断范围内任何电流的限流熔断体(见7.4)D 2.2.103 信号装置signalling device 作为熔断器的部件，用于向远处发出熔断器动作信号的装置。信号装置由撞击器和辅助开关组成，也可以由电子装置组成。3 正常工作条件除GB13539. 1-2008规定外，补充下列要求。3.4 电压3.4. 1 额定电压对于
11、交流，熔断体的额定电压与外加电压有关，它以正弦交流电压的有效值表示。可以假定在熔断体的熔断过程中，外加电压保持不变。验证额定值的所有试验以此为基础。注:在很多应用中，在熔断时间的大部分时间内，外加电压相当接近正弦波。但是也有很多场合，此条件得不到满足。非正弦外加电压时的熔断体的性能，可以通过对非正弦外加电压的算术平均值与正弦外加电压时比较来进行近似估算。对于直流，熔断体的额定电压与外加电压有关，它以平均值表示。如果直流电压是由交流电压整流得到的，那么直流电压的波动不应超过平均值的5%或低于平均值的9%。3.4.2 工作中的外加电压正常工作条件下，外加电压是指当故障电路中电流增加到熔断体将要熔断
12、时的电压。对于交流，单相交流电路中外加电压值通常等于工频恢复电压的值。除正弦交流电压，其他交流电压必须知道外加电压与时间的函数关系。对于单向的电压，其主要数据有z一一熔断体整个熔断时间的平均值;-一燃弧末期的瞬时值。对于直流，外加电压通常与恢复电压的平均值近似相等。3.5 电流半导体熔断体的额定电流是以额定频率下的正弦交流电流的有效值表示。对于直流，认为电流有效值不超过额定频率时正弦交流的有效值。注:熔体的热反应时间可能很短，以致在这非正弦电流的条件下熔体的熔断不能仅根据有效值电流来估算。这种情况特别出现在频率较低和电流出现较突出的峰值，而峰值间出现相当长的小电流。例如:在变频和牵引的使用场合
13、。3.6 频率、功率因数和时间常数3.6. 1 频率额定频率是指型式试验中正弦电流和电压的频率。注:当工作频率与额定频率相差很大时，用户应与制造厂协商。2 G/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 3.6.3 时间常数()对于直流，实际运用中的时间常数应符合表105的规定。注:某些使用场合对时间常数的要求可能超出表105的规定。在这种情况下，熔断体经试验证明符合要求并应标有相应标志或用户和制造厂之间达成关于该种熔断体适用性的协议。3. 10 壳内的温度熔断体的额定值是根据规定条件而定的，当安装地点的实际情况(包括安装地的空气条件)与规定条件不符合时，用户应与制造厂协
14、商是否需要重新规定额定值。4 分类GB 13539. 1-2008适用。5 熔断器特性除GB13539.1二2008规定外，补充下列要求。5. 1 特性概要5.1.2 熔断体a) 额定电压(见5.2); b) 额定电流(见GB13539. 1-2008中5.3); c) 电流种类和频率(见GB13539. 1-2008中5.4); d) 额定耗散功率(见GB13539. 1-2008中5.5); e) 时间-电流特性(见5.6); f) 分断范围(见GB13539.1二2008中5.7.1);g) 额定分断能力(见GB13539. 1-2008中5.7.2); U 截断电流特性(见5.8.1)
15、;i) 2 t特性(见5.8.2); j) 尺寸或尺码(如适用); k) 电弧电压极限值(见5.9)。5.2 额定电压对于额定交流电压不超过690V，额定直流电压不超过750V , GB 13539. 1-2008适用;对于更高的电压，可从GB/T321-2005中的R5或R10系列中选取。5.4 额定频率额定频率是指与性能数据相关的频率。5.5 熔断体的额定耗散功率除GB13539. 1-2008规定外，制造厂应规定额定耗散功率与50%-100%额定电流的函数关系或50%、63%、80%和100%额定电流时的额定耗散功率。注:熔断体的电阻值应根据耗散功率和相关电流的函数关系来确定。5.6 时
16、间-电流特性极限5.6. 1 时间-电流特性，时间-电流带熔断体的时间电流特性随设计而改变，对于给定的熔断体，也与周围空气温度和冷却条件有关。制造厂应按8.3规定的条件，提供周围空气温度为20oC -25 oC时的时间-电流特性。时间-电流特性是额定频率时的弧前特性和熔断特性(熔断特性以电压为参数)。直流的时间电流特性是按表105规定的时间常数时的特性。对于某些使用场合，特别是对于高的预期电流(时间较短)，可以用2t特性来代替时间-电流特性或同时规定2t特性和时间-电流特性。3 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 5. 6. 1. 1 弧前时间-电流特性对于
17、交流，弧前时间一电流特性应以给定频率(额定频率)下对称交流电流值表示。注:在额定频率时的10个周波时间和处于绝热状态很短的时间之间，这特别重要。对于直流，对时间超过15的弧前时间-电流特性部分特别重要，该部分与同一区域内的交流弧前时间一电流特性相同。注1:由于实际使用中遇到的电路时间常数范围比较大，对于时间短于15r的特性，以弧前2t特性来表示比较方便。注2:选择15的数值是为了避免在较短的时间内，不同的电流上升率对弧前时间-电流特性的影响。5.6. 1. 2 熔断时间-电流特性熔断时间-电流特性在规定的功率因数值下，以外加电压为参数表示。原则上，熔断时间一电流特性应以导致最大熔断J2t值的电
18、流出现的瞬间为基础(见8.7)。电压参数至少应包括100%、50%和25%的额定电压。对于直流，熔断时间-电流特性不适用，因为当时间超过15时，熔断时间一电流特性并不重要(见5. 6. 1. 1)。5.6.2 约定时间和约定电流5.6.2. 1 aR型熔断体的约定时间和约定电流不适用。5.6.2.2 gR和gS型熔断体的约定时间和约定电流约定时间和约定电流在表101中规定。表101gR和gS型熔断体的约定时间和约定电流额定电流A In63 6320 kA ,O. 10. 2 电压过零后的接通角不适用。+2% 不适用电压过零后的电弧始燃角65090。不适用65090。11 :表示额定分断能力的电
19、流(见GB13539.1-2008中5.7)。12 :试验时电弧能量接近最大时的电流。16 :11和12的几何平均值。17 :0. 511 11 0 18 :0. 251 1 0 No.10 25% 18 不适用注:NO.6、No.7和No.8试验用来确定额定电压下的特性。NO.9和No.10试验用来提供确定较低电压下的特性的依据。a工频电压值允许有士5%的偏差。如果制造厂认可，可超出该偏差。b对于单相电路，在实际应用中，外加电压的有效值等于工频恢复电压的有效值。c在某些实际应用中，可能出现功率因数值比试验中规定值小，但可以认为不会显著影响熔断器的性能。然而，当功率因数明显大于试验电路的功率因
20、数时，熔断器的运行性能会更好，特别是分断J2t值。对此类应用情况，制造厂应提供更多资料。12 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 8.7.3 gG熔断体和gM熔断体一致性验证不适用。8.7.4 过电流选择性验证不适用。8.7.5 电弧电压特性的验证和试验结果的判别从以下每个试验中得出的最大电弧电压值不应大于制造厂的规定。对于交流，电弧电压特性应根据表104和表106中的所有试验进行验证。如果从No.7试验中得出的电弧电压明显超出从No.6试验得出的电弧电压值，则应在50%和25%额定电压下再进行电流12下的试验，从而确定较低电压下的最大电弧电压。对于直流，电
21、弧电压特性应根据表105中的所有试验进行验证。对数Iv (s) ln Ip(A有效值)对数图101约定过载曲线(举例)(X、Y为验证过载能力的点)13 G/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 500 单位为毫米。j 1一-紧固螺栓52-一-确定耗散功率的电压测量点;3一-绝缘块(如木板); 4一二绝缘底板(如16mm层压板); 5二一黑色无光表面;6-二由制造厂规定的或其他方面规定的热电偶安放点，热电偶固定在熔断体上部金属的最热点;7一一触头表面应镀锡;8-一-绝缘夹板。如需要，上面的两个夹子可以松开29二一熔断体的熔管可以为圆形或矩形。图102约定试验装置举例1
22、4 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 E一一温升测量点;S一一耗散功率测量点。图103约定试验装置举例15 G/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 附录A(资料性附录)熔断体和半导体设备的配合导则A.1 一般要求A. 1. 1 范围本附录仅适用于用在具有半导体整流器电路特性的电路中的熔断体。本附录所涉及的是在规定条件下的熔断体性能，而对于熔断体与整流器的适用性问题不做规定。注:特别要注意:用于交流的熔断体并不一定适用于直流。在直流下使用的情况，应与制造厂协商。特别是交流额定电压与直流额定电压的关系不能作笼统的说明。本导则关于直
23、流使用的说明是不完整的，而且不包括直流使用时的所有重要因素。A. 1.2 目的本附录的目的是从熔断体的额定值及其所在电路的特性方面来阐述熔断体应具有的特性，使本附录成为选择熔断体的依据。A.2 术语和定义(也可见第2章术语和定义)(半导体熔断体的脉动电流pulsed current (in a semiconductor fuse-link) 瞬时值周期性变化，并且零电流或很小电流值的时间间隔在整个周期中占很大比例的单向电流。注:典型的脉动电流是桥式连接整流器的单臂中产生的电流。(半导体熔断体的)脉动负载pulsed load (in a semiconductor fuse-link) 电流
24、的有效值周期性变化，并且零电流或很小电流值的时间间隔在整个周期中占很大比例的负载。注:在整流器电路中，脉动负载可由直流电路电流的周期性通断造成。例如电动机的起动和制动。A.3 载流能力A. 3.1 额定电流半导体熔断体的额定电流由制造厂规定，通过温升试验(见8.3)和8.4.3.2额定电流试验来验证。注:元老化的载流能力与温度变化有密切关系。制造厂提供的资料与试验条件(见8.1.4和8.3)有关。冷却条件取决于熔断体的物理性能、冷却介质的流动、连接导体和相邻发热体的型式和温度。可从制造厂得到有关这些因素影响的指南。A. 3. 2 持续工作制电流对于大多数用于半导体设备的熔断体，持续工作制电流等
25、于额定电流(见A.3.1)。然而，对于设计时不考虑持续承载额定电流的熔断体在持续工作制下使用时，应降低额定值。A. 3. 3 重复工作制电流额定电流试验是验证熔断体在规定试验条件下，至少能够重复承受100次额定电流负载。随着实际负载电流相对于额定电流减小，用重复次数表示的预期寿命增加。由于规定的试验仅确定了最小寿命期望要求，制造厂应给出给定的熔断体是否适用于规定的重复工作制的建议。A. 3. 4 过载电流制造厂提供的过载能力(见5.6. 4. 1)是以一个或几个时间和电流坐标点为基础的，其过载能力已经在与额定电流验证条件(见8.4.3.4)相同的条件下进行验证。以这些已验证的点为依据的约定过载
26、特性是对过载能力的保守估计(见5.6.4.2和图101)。GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 由于实际过载与时间的函数关系很少像约定过载和时间的函数关系，所以实际过载必须转化为如下的一种等效约定过载:一-实际过载的最大值等于等效约定过载的最大值;一一一等效约定过载的时间应使其J2t等于实际负载在熔断体约定时间的0.2倍时间内积分的J2t。接近0.2倍约定时间的任何负载值，对熔断体来说，都应视为连续负载。然而，因为过载能力验证是以100次过载循环试验为基础，所以实际情况中的重复过载，可能需要降低额定值。此情况应与制造厂进行协商。A.3.5 峰值电流(截断电流)
27、峰值电流的最大值在熔断体处于绝热状态动作时得到。当电流上升率基本为常数时，弧前时间末的电流瞬时值按上升率的立方根增加。对于大多数熔断体，这就是峰值。对于明显较晚(在燃弧时间内)达到电流峰值的熔断体，难以作出一般的说明，应从制造厂处得到更多的资料。A.4 电压特性A.4.1 额定电压用于半导体设备保护的熔断体的额定电压(见5.2)是在由制造厂规定的额定频率下(某些情况是直流)的正弦外加电压。熔断体的数据与额定电压有关。仅在额定电压值的基础上对不同厂家的熔断体进行比较是不够的。A.4.2 工作中的外加电压外加电压就是在故障电路中造成故障电流的电压。因为电压降的影响通常可以忽略，所以在大多数情况下可
28、以认为故障电路中的空载电压为外加电压。注:外加电压可能受到熔断体动作时发生的换流或另一个熔断体电弧电压的影响。在弧前时间内，外加电压和电路的自感决定故障电流的上升率(通常认为故障电流是从零增长到接近其峰值)。在给定的电路中，即自感已给定，由J2t值决定弧前时间的结束。在弧前时间内外加电压的积分决定了弧前时间末的电流瞬时值。在燃弧时间内，燃弧电压和外加电压的差决定了电流的变化率。该变化率一般从峰值下降到零。在弧前时间内对燃弧电压和外加电压差的积分等于对外加电压的积分的瞬间时变化率达到零。在电弧电压小于外加电压的时间内，电流持续增长;但是，在很多情况下，这段时间是很短的，因此相关电流的增长可以忽略
29、。对于在绝热区域或绝热区域附近动作的熔断体，弧前J2t值是一个很明确的量。而即使燃弧时间相同，燃弧J2t可以呈现相差很大的值。在燃弧的早期阶段，电弧电压达到其最大值时，燃弧J2t值为最小。A.4.3 电弧电压制造厂提供的电弧电压峰值是在最不利的条件下所获得的电弧电压值。电弧电压特性是外加电压的函数。电弧电压的峰值应限制在半导体设备所能承受的范围内。A.5 耗散功率特性A. 5.1 额定耗散功率额定耗散功率的确定是以额定电流和标准试验条件(见8.1.4和8.3.1)为依据的。熔断体的电阻温度系数所引起耗散功率的增加速度比电流平方引起耗散功率的增加速度更快。由于这个原因，制造厂提供的有关电流和耗散
30、功率关系的信息可以用耗散功率特性的形式或分散数据点的形式表示。由于安装条件与试验条件(见8.3)不同，耗散功率特性可能偏离额定值。17 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 A. 5. 2 影响耗散功率的因素由于实际电流和额定电流之间的关系对耗散功率的影响显著，可能需要使用比重复工作制和过载所确定的额定电流更大的熔断体。但较大的额定电流意味着JZt值也较大。使用能进行合理保护的最大额定电流的熔断体可同时减小耗散功率并可以解决重复工作制和过载的问题。使用较高额定电压的熔断体会导致较高的耗散功率值。如果尽管电弧电压很大，但仍可以使用这种熔断体，那么JZt值就可以减
31、小，这样可允许选择较大额定电流的熔断体，从而可以减小耗散功率。当带有铁制零件的熔断体使用在高于额定频率时的频率下，耗散功率将显著增大。A. 5. 3 相互影晌熔断体与关联的半导体设备间非常短的电连接会产生显著的热藕合。因此熔断体耗散功率的任何减小可以提高半导体设备的电流负载。A.6 时间-电流特性A. 6.1 弧前特性在整流器或变流器臂中出现的脉动电流不能仅仅在有效值基础上处理。在边缘情况时，应确保仅仅单个脉动不会损坏熔体。例如:按8.4.3.4考虑短时过载(如0.1s以下)，实际过载的峰值不是最大有效值，而是最大脉动的峰值。除上述提到的区域外，高于额定频率的任何频率的电流实际上对弧前J2t的
32、值没有影响。对于额定频率下弧前时间小于1/4周波的预期电流，频率越高，弧前时间越小。对于低于额定频率的频率，其影响与上述相反。但必须注意弧前时间的增加可能更显著，特别是对较大预期电流。对于较小的预期电流，非对称电流(具有瞬态直流分量的交流电流)的唯一影响是使电流的有效值略微增加。在绝热区域中，该影响最好是以上升率的增加或减少来表示，用在弧前时间具有相同(或相似)上升率的对称电流代替实际电流。在弧前JZt特性偏离绝热区域的临界区域中，必须区分非对称性电流开始时的程度，开始时程度大，弧前J2t值会减小;开始时程度小，弧前JZt值会增大。在考虑熔断体承受非对称电流的能力时，必须考虑非对称峰值。在直流
33、情况下，基于交流的弧前J2t特性可能不适用，或仅仅部分适用，这取决于电路的参数。如果电路的时间常数小于所考虑的最短的时间，预期电流就等于外加电压除以电阻所得的值。如果电路自感量很大，只要横坐标以上升率表示，而不以预期电流表示，也就是直流的上升率通过外加电压除以自感决定，可利用弧前J2t特性的绝热区域。可进一步认为预期电流值(外加电压除以电阻)明显高于(3倍或更多)在所考虑的电流上升率下的截断电流值。对于直流的其他情况，很难从交流基础上的正常弧前J2t特性来作出有关弧前时间的重要结论，应和制造厂进行协商。然而，大多数实际情况包含在对等效上升率的考虑中。就非正弦电流来讲，正常弧前J2t特性不提供大
34、量的有关性能的信息。除非出现以下情况:上升率占优势(即电流非常大)或者电流值很小而时间很长，允许使用有效值。A. 6. 2 熔断J2t特性对于给定的预期电流，弧前JZt特性和熔断J2t特性之差是在绘制熔断J2t的各种条件下的燃弧J2t 最大值。制造厂提供的数据是以较低功率因数值(即0.3以下)及外加电压的有效值为基础的。最恶劣的情况是外加电压的瞬时值在整个弧前时间和燃弧时间内都尽可能的大。因为这种情况很少发生，可以利用这种情况。对于相同外加电压和预期短路电流，较高频率意味着较低的自感值，因此燃弧时间减少，而且在实际极限内与频率成反比。对于相同外加电压和预期短路电流，较低频率意味着较高的自感值，
35、因此燃弧时间增加，而且在实18 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 际极限内与频率成反比。注:由于燃弧时间较长，造成能量释放，因此不能保证熔断体适用于低于额定频率的频率。当熔断体的使用频率低于额定频率时，应与制造厂进行协商。选择燃弧时间的最大值时，必须考虑非对称电流的影响。弧前J2t是根据上升率判断(见A.6.1)的所有直流(见A.1. 1注)情况下，如果截断电流发生在弧前时间的末端，只要电压参数(基于有效值)选择为外加直流电压小于平均交流电压(90%有效值)，则熔断J2t也是有效的。其他所有情况需要特殊考虑或从制造厂获得有关资料。A.7 分断能力在额定值内
36、，分断非正弦交流电流的能力对半导体设备保护用熔断体来说要求不高。对于较高电压值(高压熔断体)，分断小电流也可能存在问题，但此问题是在本文所述电流范围之外(见7.4)。只要不超过额定频率下电流上升率的最大值，频率高于额定频率对分断能力没有影响。频率低于额定频率时，熔断体内释放出能量大于额定频率时的能量。包括按8.5.5.1进行的低频试验在内的有关信息可从制造厂处获得。对于直流分断能力见A.1.1注)，熔断体中释放出的能量在大多数情况下大于额定频率时的释放出的能量。只有当使用交流额定电压明显大于直流电源电压的熔断体才能保证满意的熔断。附加的信息应从制造厂处获得。A.8 换流半导体设备中的短路电流一
37、般涉及具有几个桥臂的电路，当熔断体熔断时，在各臂之间发生换流，这种换流是由交流电源电压的周期性变化、品闸管导通或另一熔断体的电弧电压引起的。换流通过改变电路结构、电路常数、外加电压(例如增加电弧电压)影响熔断体的动作。另一种可能严重影响熔断体工作的误换流，它起因于第二次故障的出现。19 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 附录B(规范性附录)制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体的资料本资料应按交流和直流(如适合)分别提供。1) 制造厂名称(商标)。2) 产品型号或目录号。3) 额定电压(见3.4.1)04) 额定电流(见3.5)。5
38、) 额定频率或其他频率见5.4)。6) 额定分断能力(额定电压下和不同的外加电压下)(见5.7.2和8.5)。7) 弧前和熔断时间-电流特性(图)和适用等级(标志)，如果适用(见5.6.1和8.4. 3. 3. 1) 0 8) 弧前J2t特性(见5.8.2.1和8.7.2)。9) 在规定功率因数或时间常数下与电压有关的熔断J2t特性(见5.8.2.2和8.7.2)。10) 25 %、50%和100%额定电压下的电弧电压或以图表形式表示(见5.9和8.7.5)。11) 截断电流特性(见5.8.1和8.6)。12) 约定试验条件下额定电流时的温升以及指明规定的测量点(见7.3和8.3.5)。13)
39、 至少50%和100%额定电流下的耗散功率，在固定点或以图表形式表示该范围内的耗散功率(附加参数可以是63%和80%)(见7.3和8.3.4.2)。14) 指示器所需要的最小动作电压(见8.4.3.6)。15) 允许电流和周围空气温度的函数关系(图)(见8.4.3.2)。16) 安装说明，如有需要，列出相关尺寸(草图)。17) 特殊安装条件(如连接导体的截面积、冷却不足、附加热源等)下的载流能力。注:如用于特殊条件应与制造厂进行协商。20 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 附录C(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例C.1 总则本附录分为如下6个具
40、有标准尺寸的熔断体系统特殊示例:A型螺栓连接熔断体系统;一二B型螺栓连接熔断体系统;一二C型螺栓连接熔断体系统;一一-A型接触片式熔断体系统;二-B型接触片式熔断体系统;一-A型圆筒形帽熔断体系统。用于半导体设备保护的熔断体也可以具有与以下熔断体相同的尺寸:一-GB/T13539. 22008中熔断器系统A、B、F和H;二一GB13539. 3-2008中熔断器系统A。熔断体的耗散功率除应满足本标准的要求外，同时不应超出配合使用的熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率。如果熔断体的耗散功率大于标准熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率，制造厂应降低其额定值。C.2 A型螺栓连接熔断体系统C.
41、2.1 范围以下的补充要求适用于尺寸符合图C.1至图C.3要求的螺栓连接熔断体。其额定电压和电流如下:交流230V，电流不超过900A; 二一交流690V，电流不超过710Ao C.2.2 机械设计(见GB13539. 1-2008中7.1)熔断体的标准尺寸在图C.1至图C.3中列出。C.2.3 熔断体结构为了指示动作，一个脱扣指示熔断体可与熔断体并联使用。指示熔断体的标准尺寸见图C.4。OJ G K A j) 图C.1单体熔断体21 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 典型额典型最大A B D E F 定电压额定电流最大值最大值最大值名义值最大值V A 2
42、30 20 29 8.7 47.6 6.4 0.9 690 20 55 8. 7 75 6.4 0.9 230 180 29.2 17.7 58.4 12. 7 2.5 690 100 50.6 17. 7 79.8 12. 7 2.5 230 450 32.6 38.2 85 25.4 3.3 690 355 60 38.2 114 25.4 3.3 图C.l(续) 广AL-J I J) 典型额典型最大A B D E F 定电压额定电流最大值最大值最大值名义值名义值V A 230 900 32.6 38.2 85 25.4 6.4 690 710 60 38.2 114 25.4 6.4 图
43、C.2双体熔断体22 G 名义值38 64.5 42 63.5 59 85 _j_ ， G 名义值59 85 H 名义值4 4 6.4 6.4 10.3 10.3 K H 名义值10.3 10.3 单位为毫米J K 最小值最大值4.8 8.8 4.8 8.8 7.9 19.3 7.9 19.3 13 41. 5 13 41. 5 B 单位为毫米J K 最小值最大值13 83 13 83 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4: 2006 B c; | K - A K j) 单位为毫米典型额典型最大A B D E F G H J K 定电压额定电流最大值最大值最大值名义值最大
44、值名义值名义值最小值最大值V A 690 200 50.6 37 95 32 1. 6 70 8.7 10.3 图C.3并体熔断体内V且一二一一Q单位为毫米典型额定电压A B tc D E F 1; V 最大值名义值名义值最大值名义值名义值最大值230 48 0.8 6.4 5.6 19 5.6 7.9 690 62 0.8 6.4 5.6 19 5.6 7.9 图C.4脱扣指示熔断体23 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 C.3 B型螺栓连接熔断体系统C. 3.1 范围以下的补充要求适用于尺寸符合图C.5和图C.6要求的螺栓连接熔断体。C.3.2 机械设
45、计(见GB13539. 1-2008中7.1)熔断体的标准尺寸见图C.5和图C.6o具有其他安装尺寸例如延长孔、纵向或交叉夹槽的熔断体的机械设计用户应与制造厂协商。C.3.3 熔断体结构如果熔断体带有指示器，制造厂和用户应就指示器的位置达成协议。3) 4) e2 e2 ) X:详图4)_. -. I卜H24 om?IL 熔断体e al a2 尺码土2最大值最大值000 80 105 56 。80 105 56 110 140 86 1) 扁平端子的螺纹或相应的通孔;2) 端子间距离;3)一一指示器;4) 信号装置的接线片(如需要。b el e2 hl 最小值最大值最大值20 51 21 M8
46、20 51 30 M10 图C.5尺码000和00的B型螺栓连接熔断体单位为毫米h2 z +0.3 。一O.5 9 9 11 11 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 1) l(r )银|12.5 max.I一熔断体e al e2 ) 寸rr/1) 陆;I12.5 m缸a2 b el 尺码土2最大值最大值最小值最大值。80 110 110 150 1 80 110 110 150 2 80 110 110 150 3 80 110 110 150 L. 1)一一扁平端子的螺纹或相应的通孔;2)一一端子间距离;3)一指示器(如需要); 50 80 50 80
47、50 80 50 80 的信号装置，位置A或B(如需要); 19 24 24 29 5) 用于信号装置接线片的可选位置C、D和E(如需要); 45 53 61 76 6)-一搭扣，尺寸见GB/T13539.2-2008中图101(如需要); 7)-M10也适用;8)一一-对于MIO，l1也适用。3) X:详图的二斗11H e4 h j 最大值6.5 M10 6.5 M10 6.5 M10 6.5 M12 7) 图C.6尺码0、1、2和3的B型螺栓连接熔断体C.4 C型螺栓连接熔断体系统C.4.1 范围单位为毫米h2 z 十0.3。一0.511 11 11 11 11 11 13 13 8) 以
48、下的补充要求适用于尺寸符合图C.7要求的螺栓连接熔断体。其额定电压和电流如下:一一一交流130V，电流不超过1000 A; 25 GB/T 13539.4-2009/IEC 60269-4 :2006 一一一交流250V，电流不超过800A; 一一交流500V，电流不超过1200 A; 交流700V，电流不超过600A; 一一交流1000 V，电流不超过800A。C.4.2 机械设计(见GB13539. 1-2008中7.1)熔断体的标准尺寸见图C.70A-H-c B2 1 单位为毫米额定电压额定电流A B Bl B 2 C D E F G H V A 最大值名义值最大值最小值最大值最大值最大值最小值最大值最大值65400 69.1 52.4 57.5 45 31 29. 1 5.2 22.6 8.3 11. 9 130 4501 000 90.6 62.0 67 47.5 33.4 40.9 6.8 25.8 10. 7 12.3 3560 82.6 61. 9 67.5 55.5 42.9 21 3.6 19.5 9.1 14. 1 250 65200 81. 1 60.3 64 54 42.9 31. 8 5.2 25.8 9.1 12.3 225800 99.2 70.6 79 55.5 42. 1
