1、ICS 29.045 H 82 DB13 河 北 省 地 方 标 准 DB13/T 18282013 太阳能级类单晶硅片 Quasi-mono crystalline silicon solar wafers 2013 - 12 - 02发布 2013 - 12 - 20实施河北省质量技术监督局 发 布DB13/T 18282013 I 前 言 本标准按照GB/T 1.12009给出的规则起草。 本标准由保定市质量技术监督局提出。 本标准起草单位：英利能源（中国）有限公司。 本标准主要起草人员：张运锋、孟庆超、尹青松、张晓芳、高文宽、潘明翠。 DB13/T 18282013 1 太阳能级类单晶
2、硅片 1 范围 本标准规定了太阳能级类单晶硅片的分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于太阳能级类单晶硅片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T
3、2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25074 太阳能级多晶硅 GB 50034-2004 建筑照明设计标准 DB13/T 1633-2012 太阳能级多晶硅片 3 定义和术语 GB/T 14264、GB/T 25074和DB13/T 1633界定的及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使用，以下重复列出了DB13/T 1633的术语和定义。 3.1 类单晶硅片 quasi-mono crystalline silicon wafers 由类单晶硅锭进行加工得到的，并且单晶比例大于80%的硅片称
4、为类单晶硅片。 3.2 单晶比例 percentage of the single grain 类单晶硅片表面最大晶粒的面积与硅片表面积的比值，可以用百分比形式表示。 3.3 翘曲度 warpage 硅片表面扭曲的形变量与中心轴之间的差值。 3.4 DB13/T 18282013 2 亮线 bright line 硅片表面锯痕深度小于20m，肉眼可分辨的亮度明显高于正常硅片表面颜色的轻微锯痕。 3.5 崩边 edge chip 硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。 ahha崩边或缺口haa 宽度h 延伸度ah图1 崩边、缺口示意图 3.6 缺口 br
5、eakage 硅片边缘呈现贯穿正反两面的局部破损。一般宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。 4 分类 4.1 按单晶比例分类 类单晶硅片按单晶比例分为一类片和二类片。 4.2 按产品质量分类 类单晶硅片按外观、规格尺寸和电学特性分为一级品和二级品。 5 质量技术要求 5.1 单晶比例 一类片：单晶比例98%的类单晶硅片。 二类片：单晶比例98%且80%的类单晶硅片。 5.2 品级要求 5.2.1 外观 外观要求见表1。 DB13/T 18282013 3 表1 外观要求 项目 要求 一级品 二级品 崩边(宽度a / mm，延伸度h / mm) a1且h1，个数不限 a1或h1，个数不
6、限 缺口(宽度a / mm，延伸度h / mm) a0.1且h0.1，个数不限 锯痕深度/m 20 20且40 微晶最大横径/mm 0 30 翘曲度/m 100 100 亮线 亮线面积硅片面积的四分之 亮线面积硅片面积的四分之一，且硅片面积的二分之一 弯曲度/m 100 表面质量 表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等；表面洁净、无沾污、手印等 表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等；表面沾污面积硅片总面积的5%，但不允许有油污 5.2.2 规格尺寸 规格尺寸要求见表2。 表2 规格尺寸要求 项目 要求 一级品 二级品 规格 156mm156mm，或由供需双方商定规格 156mm156mm，或由供需双方商定规
7、格 硅片厚度偏差/m 210 30 200 25 190 20 180 20 170 20 160 20 硅片总厚度变化(TTV)/m 210 50 200 40 190 35 35且45 180 170 160 边长偏差/mm 125 0.5 156 0.5 角度偏差 90 0.3 倒角角度偏差 45 10 倒角斜边尺寸/mm 1.50.5 0.5且1；或，2且2.5 DB13/T 18282013 4 5.2.3 材料性能 材料性能要求见表3。 表3 材料性能要求 项目 要求 一级品 二级品 导电类型 P型（硼） 氧含量（atoms/cm） 1.0 1018碳含量（atoms/cm） 5.
8、0 10175.2.4 电学特性 电学特性要求见表4。 表4 电学特性要求 项目 要求 一级品 二级品 电阻率a/cm 0.72.0 2.0且4.0 少子寿命/s 2 1且2 a 目标电阻率为1.5cm 6 试验方法 6.1 单晶比例检验 利用光学成像方法，测定最大晶粒面积，再按3.2的定义来计算单晶比例。 6.2 外观检验 6.2.1 崩边、缺口、锯痕检验采用符合精度要求的硅片分选机或带读数的显微镜进行。 6.2.2 微晶和亮线检验采用分度值为0.5mm的钢板尺进行。 6.2.3 弯曲度检验采用分度值为0.01mm 的塞尺或相应精度的仪器进行。 6.2.4 表面质量采用目视法进行。 6.3
9、规格尺寸检验 6.3.1 厚度偏差检验采用分度值为0.001mm 的测厚仪或相应精度的仪器进行。 6.3.2 总厚度变化检验采用分度值为0.001mm 的测厚仪或相应精度的仪器进行。 6.3.3 边长偏差检验采用分度值不小于0.02mm的游标卡尺或相应精度的仪器进行。 6.3.4 角度偏差检验采用分度值为2的角度尺进行。 6.3.5 倒角斜角度偏差检验采用分度值为2的角度尺进行。 DB13/T 18282013 5 6.3.6 倒角斜边尺寸偏差检验采用分度值为0.1mm的钢板尺进行。 6.4 氧碳含量检测 6.4.1 氧含量的检验 氧含量检验按GB/T 1557进行。 6.4.2 碳含量的检验
10、 碳含量检验按GB/T 1558进行。 6.5 电学特性检测 6.5.1 电阻率的检验 电阻率检验按GB/T 1552进行，在单晶晶粒内测试。 6.5.2 少子寿命的检验 少子寿命检验按GB/T 1553进行，取整个硅片少子寿命的平均值。 7 检验规则 7.1 检验分类 产品检验分出厂检验和型式检验。 7.1.1 出厂检验 产品出厂时应检验单晶比例、外观、规格尺寸和电学特性。 7.1.2 型式检验 检验项目为本标准所规定的产品的全部质量技术要求。有下列情况之一时，应进行型式检验： a) 原料有较大改变，可能影响产品性能时； b) 生产工艺有较大变动，可能影响产品性能时； c) 长期停产重新恢复
11、生产时； d) 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时； e) 质量监督机构提出进行型式检验的要求时。 7.2 组批 产品应以批的形式提交验收。同一生产班组、同一规格的产品为一批。 7.3 抽检 7.3.1 单晶比例、外观和规格尺寸按GB/T2828.1一般检水平，正常检验二次抽样方案进行，见表5。 DB13/T 18282013 6 表5 单晶比例、外观、规格尺寸检验项目及接收质量限 序号 检验项目 接收质量限（AQL） 1 单晶比例 0.4 2 外观 崩边 1.0 缺口 0.4 锯痕 0.65 亮线 0.65 划痕 1.0 微晶 0.65 沾污 0.65 孔洞 0.4 裂纹 0.4 杂
12、质 0.65 3 规格尺寸偏差 边长偏差 1.0 厚度偏差 1.5 倒角尺寸偏差 1.5 总厚度变化 1.5 角度偏差 1.5 弯曲度 1.0 7.3.2 电学特性按照每一批次抽检10片进行，每片测量5次求平均值。 7.3.3 氧碳含量按照每一批次抽检5片进行，每片测量5次求平均值。 7.4 判定 7.4.1 出厂检验 7.4.1.1 单晶比例检验结果符合标称分类，则判定该分类合格。 7.4.1.2 外观和规格尺寸偏差检验结果中若有一项不符合标称等级质量要求，则判定该等级不合格。电学特性的每个测试结果都必须符合标称等级质量要求，否则判定该等级不合格。 7.4.2 型式检验 7.4.2.1 单晶
13、比例检验结果符合标称分类，则判定该分类合格。 7.4.2.2 全部项目检验结果符合标称等级质量要求，则判定该等级合格。 8 标志、包装、运输、贮存 8.1 标志 8.1.1 产品包装应标明以下内容： a) 产品名称； b) 产品规格； DB13/T 18282013 7 c) 质量等级； d) 数量及重量； e) 执行标准编号； f) 生产厂名、厂址； g) 生产日期或批号。 8.1.2 包装箱外侧应有符合GB/T 191规定的“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等字样或标志。 8.2 包装 根据产品的实际尺寸、重量、包装数量等参数设计防震材料进行包装，并在内部附加必要的缓冲材料以提供足够的边缘保护，防止磕碰、震动等，特殊要求由供需双方协商。附合格证明。 8.3 运输 在运输过程中不应有剧烈振动，应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。 8.4 贮存 产品应贮存在清洁、干燥环境中。 _
