ITU-R M 1180 SPANISH-1995 AVAILABILITY OF COMMUNICATION CIRCUITS IN THE AERONAUTICAL MOBILE-SATELLITE (R) SERVICES (AMS(R)S)《航空移动卫星(R)业务中通信电路的可用性(AMS(R)S)》.pdf

上传人:brainfellow396 文档编号:791626 上传时间:2019-02-02 格式:PDF 页数:2 大小:82.79KB
下载 相关 举报
ITU-R M 1180 SPANISH-1995 AVAILABILITY OF COMMUNICATION CIRCUITS IN THE AERONAUTICAL MOBILE-SATELLITE (R) SERVICES (AMS(R)S)《航空移动卫星(R)业务中通信电路的可用性(AMS(R)S)》.pdf_第1页
第1页 / 共2页
ITU-R M 1180 SPANISH-1995 AVAILABILITY OF COMMUNICATION CIRCUITS IN THE AERONAUTICAL MOBILE-SATELLITE (R) SERVICES (AMS(R)S)《航空移动卫星(R)业务中通信电路的可用性(AMS(R)S)》.pdf_第2页
第2页 / 共2页
亲,该文档总共2页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、 Rec. UIT-R M.1180 1 RECOMENDACIN UIT-R M.1180*Disponibilidad de los circuitos de comunicacin en los servicios mviles aeronuticos por satlite (R) SMAS(R) (Cuestin UIT-R 85/8) (1995) Cometido Esta Recomendacin estipula los valores de disponibilidad de los circuitos del SMAS(R) y su definicin. Tambin

2、se especifican los valores de la distribucin de las duraciones acumulativas de las interrupciones y de la duracin de una sola interrupcin del servicio. La Asamblea de Radiocomunicaciones de la UIT, considerando a) que las comunicaciones del SMAS(R) se refieren, mediante las disposiciones del Artculo

3、 43 del Reglamento de Radiocomunicaciones (RR), a la seguridad y regularidad de los vuelos; b) que las comunicaciones del SMAS(R) son objeto de medidas especiales de proteccin contra la interferencia perjudicial y otras degradaciones, mediante las disposiciones del nmero 4.10 del RR; c) que en el SM

4、AS(R) se requiere que la disponibilidad de los servicios de comunicaciones alcance valores elevados para apoyar las funciones de comunicacin, navegacin y vigilancia de los sistemas que realizan la gestin de trfico areo, la informacin de vuelo y el control operacional aeronutico; d) que, adems de la

5、disponibilidad per se, ataen a la aviacin la continuidad del servicio y, de ah, la frecuencia y duracin de las interrupciones de ste; e) que no es probable que los niveles de disponibilidad adecuados para las comunicaciones comerciales sean suficientes para el SMAS(R); f) que el Anexo 10 al Convenio

6、 de la Aviacin Civil Internacional de la Organizacin de la Aviacin Civil Internacional (OACI) define la disponibilidad en el contexto de las necesidades de la aviacin; g) que los criterios de calidad e integridad para el SMAS(R) se definen en las Normas y prcticas recomendadas del SMAS de la OACI; h

7、) que pueden ser precisos niveles distintos de disponibilidad del SMAS(R) para las diferentes aplicaciones (por ejemplo, en los distintos espacios areos o fases del vuelo); j) que la disponibilidad de los servicios mviles por satlite a travs de redes de satlite depende de la fiabilidad de los elemen

8、tos de la red, de su arquitectura y de sus procedimientos de explotacin y mantenimiento, as como de las anomalas de la propagacin que pueden producirse en los trayectos radioelctricos de conexin y servicio; *La Comisin de Estudio 8 de Radiocomunicaciones efectu modificaciones de redaccin en esta Rec

9、omendacin en 2004 de conformidad con la Resolucin UIT-R 44. 2 Rec. UIT-R M.1180 k) que los elementos de la red de satlite incluyen los satlites, las estaciones terrenas aeronuticas, los subsistemas de verificacin y control y los trayectos radioelctricos en los que hay que considerar los efectos atmo

10、sfricos y de las precipitaciones, la interferencia y los efectos ionosfricos, troposfricos y de desvanecimientos debidos a la propagacin por trayectos mltiples, recomienda 1 que se defina simblicamente la disponibilidad, A, de los circuitos de comunicacin del SMAS(R) de la siguiente manera suponindo

11、se un periodo largo de observacin (vase el Anexo 10 al Convenio de la OACI): entofuncionamidedoespecificaTiempoentofuncionamiderealTiempo=A 2 que se tome el tiempo real de funcionamiento como el tiempo total en que no hay prdidas de servicio superiores a 10 s; esto es, Tiempo real de funcionamiento

12、 Tiempo especificado de funcionamiento Tiempo total de las interrupciones del servicio 3 que, al considerar el SMAS(R) como un servicio de dedicacin plena, el tiempo de funcionamiento especificado es el tiempo total de calendario y reloj de un periodo especificado de observacin; 4 que una interrupc

13、in de servicio se define como cualquier periodo superior a 10 s durante el que los requisitos de calidad e integridad de cualquier servicio SMAS(R) definido en las Normas y prcticas recomendadas del SMAS de la OACI no est disponible para una estacin terrena cualificada que normalmente sea capaz de p

14、articipar en dicho servicio (vase la Nota 1); 5 que la disponibilidad resultante de los servicios del SMAS(R) a las estaciones terrenas de aeronave dentro de una zona de cobertura definida no sean inferiores a 0,9994 (vase la Nota 2); 6 que la red o redes que prestan estos servicios no tengan ningn

15、punto nico de fallo; 7 que el valor del 95% de la distribucin de las duraciones de las interrupciones no sea superior a 90 s; 8 que una interrupcin nica del servicio no exceda de 10 min, y 9 que se excluyan las caractersticas de disponibilidad de la estacin terrena de aeronave de las medidas y clcul

16、os de disponibilidad (vase la Nota 3). NOTA 1 Los requisitos de calidad e integridad son los de las Normas y prcticas recomendadas del SMAS de la OACI y los de la Recomendacin UIT-R M.1037. NOTA 2 Las condiciones que exigen una disponibilidad superior o inferior y los criterios correspondientes de i

17、nterrupcin del servicio requieren estudios adicionales. La disponibilidad especificada se refiere a la arquitectura actual que se describe en las Normas y prcticas recomendadas del SMAS para cumplir una disponibilidad de extremo a extremo de 0,999. NOTA 3 La posible inclusin de las caractersticas pertinentes de la estacin terrena de aeronave en los requisitos de disponibilidad del SMAS(R) requiere estudios adicionales.

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA MIL-PRF-19500 430 C-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DUAL FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N5545 2N5546 AND 2N5547 JAN JANTX AND JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 430 C-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DUAL FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N5545 2N5546 AND 2N5547 JAN JANTX AND JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 431 E-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N4091 2N4092 2N4093 2N4091UB 2N4092UB AND 2N4093UB JAN JANTX AND JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 431 E-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N4091 2N4092 2N4093 2N4091UB 2N4092UB AND 2N4093UB JAN JANTX AND JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 433 H VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Silicon High-Power Type 2N4399 and 2N5745 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 433 H VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Silicon High-Power Type 2N4399 and 2N5745 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 435 L-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR TYPES 1N4099-1 THROUGH 1N4135-1 1N4614-1 THROUGH 1N4627-1 1N4099UR-1 THROUGH 1N4135UR-1 A.pdf DLA MIL-PRF-19500 435 L-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR TYPES 1N4099-1 THROUGH 1N4135-1 1N4614-1 THROUGH 1N4627-1 1N4099UR-1 THROUGH 1N4135UR-1 A.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 436 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Diode Silicon Voltage-Variable Capacitor Types 1N5461B thru 1N5476B and 1N5461C thru 1N5476C JAN JANTX and JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 436 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Diode Silicon Voltage-Variable Capacitor Types 1N5461B thru 1N5476B and 1N5461C thru 1N5476C JAN JANTX and JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 439 G-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR NPN SILICON HIGH-POWER TYPES 2N5038 AND 2N5039 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC AND JANKC.pdf DLA MIL-PRF-19500 439 G-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR NPN SILICON HIGH-POWER TYPES 2N5038 AND 2N5039 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC AND JANKC.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 441 K-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR PNP SILICON POWER TYPES 2N3740 2N3740U4 2N3741 AND 2N3741U4 JAN JANTX JANTXV JANS JANSM JANSD JANSP JANSL JANSR JANSF J .pdf DLA MIL-PRF-19500 441 K-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR PNP SILICON POWER TYPES 2N3740 2N3740U4 2N3741 AND 2N3741U4 JAN JANTX JANTXV JANS JANSM JANSD JANSP JANSL JANSR JANSF J .pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 444 M-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SWITCHING SCHOTTKY TYPES 1N5711-1 1N5711UR-1 1N5711UB 1N5711UBCA 1N5711UBD 1N5711UBCC 1N5712-1 1N5712UR-1 1N5712UB 1-.pdf DLA MIL-PRF-19500 444 M-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SWITCHING SCHOTTKY TYPES 1N5711-1 1N5711UR-1 1N5711UB 1N5711UBCA 1N5711UBD 1N5711UBCC 1N5712-1 1N5712UR-1 1N5712UB 1-.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 446 E VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Silicon High-Power Single Phase Full Wave Bridge Rectifier Types SPA25 SPB25 SPC25 and SPD25 JAN JANTX and JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 446 E VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Silicon High-Power Single Phase Full Wave Bridge Rectifier Types SPA25 SPB25 SPC25 and SPD25 JAN JANTX and JANTXV.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 标准规范 > 国际标准 > 其他

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1