1、 KSKSKSKSKSKSKSK KSKSKS KSKSK KSKS KSK KS KS C 2150 (500 MHz 10 GHz) KS C 2150:2008 2008 11 28 http:/www.kats.go.krKS C 2150:2008 : ( ) ( ) FITI ( ) : (http:/www.standard.go.kr) ： ： 2008 11 28 2008-0839 ： ： ( 02-509-7294) (http:/www.kats.go.kr). 10 5 , . KS C 2150:2008 i ii .1 1 1 2 1 3 .1 4 .2 5 .2
2、 5.1 2 5.2 .2 6 2 6.1 .3 6.2 3 6.3 .4 6.4 .6 7 .8 8 8 KS C 2150:2008 ii (ISO) , (KS) . . , , . , , . KS C 2150:2008 (500 MHz 10 GHz) Measuring method of dielectric constant and dielectric loss of dielectric thin film at the high frequency ranges(500 MHz 10 GHz) 1998 “Z. Ma et al., RF Measurement Tec
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4、 ( ) . KS C IEC 60050 151, 151： KS C IEC 60050 726, 726： KS L 1619, 4 3 KS C IEC 60050 151 KS C IEC 60050 726 , . 3.1 (patterning) 3.2 (photo-lithography) KS C 2150:2008 2 3.3 (circular patch patterns) 1 a) 3.4 (one-port reflection measurement) 3.5 (circular patch capacitors) , , ( 1 ) 3.6 CPW (copl
5、anar waveguide probe) 2 . 3.7 (sheet resistance) KS L 1619 , (： /sq). 3.8 MIM (metal-insulator-metal capacitor) - 4 class 100 (clean room) , (25 5) . , . 5 5.1 , . 5.2 a) , 500 MHz 10 GHz . b) CPW , Be-Cu , 150 m ( 2 ). 6 KS C 2150:2008 3 6.1 1 a) (R1) (R2) Si/SiO2(100 nm)/Ti(5 nm)/Pt(70 nm) 1 b) .
6、SiO2/Ti (Pt) Si , . , . , Al , Al (skin depth) 1.0 m . Al 1 . AlR1R2 1 Si/SiO2(100 nm)/Ti(5 nm)/Pt(70 nm) a) , b) SG G150 150 2 CPW 6.2 , ( 1 ) ( ) . ( ) (1) ( Z ) . CPW 3 . Si a) b) S： G： KS C 2150:2008 4 (Pt) (Al)CPW a b 3 CPW +=110ZZ (1) Z ： Z0： (50) ： 6.3 6.3.1 4 MIM (b) (a1, a2) . Za1 Za2 . Za1
7、 Za2 (Zfilm) , (r) (5) . . 1a2abb: Al: 4 (b) (a1 a2) (Pt) (AI) ： Al CPW a b ： KS C 2150:2008 5 6.3.2 5 . (2) . (3) . (4) . . , . . . (5) . , Za1 Za2 (5) , . 5 +=outercenterouterringcentera111)(CCiRRRZ (2) =abRR ln2shring (3) trCr02r= . (4) +=2221r012shfilm111ln221aatiaaRZZZaa (5) Za： a () Rcenter： (
8、) Rring： () Router： () Ccenter： (F) Couter： (F) Rsh： a ： (m) b ： (m) Cr： r (F) KS C 2150:2008 6 Zfilm： () Za1： a1(m) () Za2 ： a2(m) () ： ( 2f) f： (1/s) t ： (m) 0： (8.85410 12 F/m) r： 6.4 6.4.1 ( 4 ) (Zfilm) (5) . (5) Zfilm (6) . )Im()Re(tanfilmfilmmZZ= (6) tanm： Re(Zfilm) ： () Im(Zfilm) ： () CPW . 6
9、 . Rs CPW . Rs . Rs , (6) Rs (7) . RsRpCpCp (F) Rp () Rs CPW 6 CpsRpKS C 2150:2008 7 )Im()Re(tanfilmsfilmpZRZ = (7) tanp： Re(Zfilm) ： () Rs： CPW () Im(Zfilm) ： () 6.4.2 Rs 6 (8) . (8) 2Cp2Rp2 1 tanp(1/CpRp) , (9) . s2p2p22pppspppfilm11RRCRCiRRRCiRZ +=+= (8) ps2ppfilm1)(tanCiRRZ += .(9) (9) )Im(filmZ
10、 p1C . (7) (10) , Rs . sppspfilmfilmtan1tan)Im()Re( RCRZZ +=+= sppfilm1tan)Re( RCZ += (10) , Re(Zfilm) y 1 x , y , Rs . 7 . , 7 Re(Zfilm) . (method of least squares) y , Rs . , 1 % . Rs (7) . KS C 2150:2008 8 6.4.3 Rs 7 Rs( 0.53) 7 DRAM . (1 Hz 1 MHz ) . (GHz ) . (500 MHz 10 GHz) . 35 m 60 m, 100 m
11、 (fringing) 0.1 % , 1 m . 8 . a) b) c) d) e) f) g) h) Rs： 0.53 Re(Zfilm) Re(Zfilm) (500 MHz10 GHz) 135513 7017 (02)60094114 (02)600948878 http:/ KS C 2150:2008 KSKSKS SKSKS KSKS SKS KS SKS KSKS SKSKS KSKSKS Measuring method of dielectric constant and dielectric loss of dielectric thin film at the high frequency ranges(500 MHz10 GHz)ICS 31.140 Korean Agency for Technology and Standards http:/www.kats.go.kr
