2019届高考数学二轮复习第二篇专题通关攻略专题1小题专练真题引领•洞悉考情2.1.5数学文化与核心素养201902132111.doc

上传人:lawfemale396 文档编号:955186 上传时间:2019-03-09 格式:DOC 页数:4 大小:443.50KB
下载 相关 举报
2019届高考数学二轮复习第二篇专题通关攻略专题1小题专练真题引领•洞悉考情2.1.5数学文化与核心素养201902132111.doc_第1页
第1页 / 共4页
2019届高考数学二轮复习第二篇专题通关攻略专题1小题专练真题引领•洞悉考情2.1.5数学文化与核心素养201902132111.doc_第2页
第2页 / 共4页
2019届高考数学二轮复习第二篇专题通关攻略专题1小题专练真题引领•洞悉考情2.1.5数学文化与核心素养201902132111.doc_第3页
第3页 / 共4页
2019届高考数学二轮复习第二篇专题通关攻略专题1小题专练真题引领•洞悉考情2.1.5数学文化与核心素养201902132111.doc_第4页
第4页 / 共4页
亲,该文档总共4页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、12.1.5 数学文化与核心素养真题引领洞悉考情1.(2018全国卷 I)如图是来自古希腊数学家希波克拉底所研究的几何图形.此图由三个半圆构成,三个半圆的直径分别为直角三角形 ABC的斜边 BC,直角边 AB,AC,ABC 的三边所围成的区域记为,黑色部分记为,其余部分记为,在整个图形中随机取一点,此点取自,的概率分别记为 p1,p2,p3,则( )A.p1=p2 B.p1=p3C.p2=p3 D.p1=p2+p3【解析】选 A.方法一:取 AB=AC=2,则 BC=2 ,所以区域的面积为 S = 22=2,区域的面积为 S = ( )2-2=-2,区域的2面积为 S =1 2-S =2,故

2、p1=p2.方法二:设 AC=b,AB=c,BC=a,则有 b2+c2=a2,从而可以求得ABC 的面积为 S = bc,黑色部分的面积为 S = + -(2)2 (2)2= + bc2(2)2-12= + bc= bc,2+2-242其余部分的面积为 S = - bc= - bc,所以有 S =S ,根据面积型几何概型的概率公式,可以得到 p1=p2.2.(2018全国卷)中国古建筑借助榫卯将木构件连接起来,构件的凸出部分叫榫头,凹进部分叫卯眼,图中木构件右边的小长方体是榫头.若如图摆放的木构件与某一带卯眼的木构件咬合成长方体,则咬合时带卯眼的木构件的俯视图可以是 ( )【解析】选 A.由直

3、观图可知选 A.3.(2017全国卷)如图,正方形 ABCD内的图形来自中国古代的太极图.正方形内切圆中的黑色部分和白色部分关于正方形的中心成中心对称.在正方形内随机取一点,则此点取自黑色部分的概率是 ( )A. B. C. D.【解析】选 B.设正方形边长为 2,则圆半径为 1,则正方形的面积为 22=4,圆的面积为1 2=,图中黑色部分的面积为 ,则此点取自黑色部分的概率为 = .2434.(2016全国卷)中国古代有计算多项式值的秦九韶算法,如图是实现该算法的程序框图.执行该程序框图,若输入的 x=2,n=2,依次输入的 a为 2,2,5,则输出的 s= ( )A.7 B.12 C.17

4、 D.34【解析】选 C.第一次运算:s=02+2=2,k=1;第二次运算:s=22+2=6,k=2;第三次运算:s=62+5=17,k=3,结束循环.5.(2015全国卷)九章算术是我国古代内容极为丰富的数学名著,书中有如下问题:“今有委米依垣内角,下周八尺,高五尺.问:积及为米几何?”其意思为:“在屋内墙角处堆放米(如图,米堆为一个圆锥的四分之一),米堆底部的弧长为 8尺,米堆的高为 5尺,问米堆的体积和堆放的米各为多少?”已知 1斛米的体积约为 1.62立方尺,圆周率约为 3,估算出堆放的米约有 ( )A.14斛 B.22斛 C.36斛 D.66斛4【解析】选 B.设米堆的底面半径为 r

5、尺,则 2r=8,所以 r= ,所以米堆的体积为14 5 ,故堆放的米约为 1.6222( 斛).1413 (16)2 3209 32096.(2017浙江高考)我国古代数学家刘徽创立的“割圆术”可以估算圆周率 ,理论上能把 的值计算到任意精度.祖冲之继承并发展了“割圆术”,将 的值精确到小数点后七位,其结果领先世界一千多年,“割圆术”的第一步是计算单位圆内接正六边形的面积 S 内 ,S 内 =_.【解析】如图,因为是单位圆,所以 OA=1,因为六边形 ABCDEF是正六边形,所以OAB 是正三角形,所以 AB=1,过点 O作 OGAB 于点 G,所以 OG=OAsin60= ,所以正六边形的面积为 6SOAB =6 ABOG= .12答案:

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA MIL-PRF-19500 585 J-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRA-FAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6620 THROUGH 1N6625 1N6620U THROUGH 1N6625U 1N6620US THROUGH 1N6625US JAN JANT.pdf DLA MIL-PRF-19500 585 J-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRA-FAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6620 THROUGH 1N6625 1N6620U THROUGH 1N6625U 1N6620US THROUGH 1N6625US JAN JANT.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 586 K-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SCHOTTKY BARRIER HERMETIC TYPES 1N5817-1 1N5817UR-1 1N5819-1 1N5819UR-1 1N6761-1 AND 1N6761UR-1 JAN JANTX JANTXV JAN.pdf DLA MIL-PRF-19500 586 K-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SCHOTTKY BARRIER HERMETIC TYPES 1N5817-1 1N5817UR-1 1N5819-1 1N5819UR-1 1N6761-1 AND 1N6761UR-1 JAN JANTX JANTXV JAN.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 587 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON RECTIFIER TYPES 1N6661 1N6662 1N6663 1N6661US 1N6662US AND 1N6663US JAN JANTX JANTXV AND JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 587 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON RECTIFIER TYPES 1N6661 1N6662 1N6663 1N6661US 1N6662US AND 1N6663US JAN JANTX JANTXV AND JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 590 J-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRAFAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6626 THROUGH 1N6631 1N6626U THROUGH 1N6631U 1N6626US THROUGH 1N6631US JAN JANTX.pdf DLA MIL-PRF-19500 590 J-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRAFAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6626 THROUGH 1N6631 1N6626U THROUGH 1N6631U 1N6626US THROUGH 1N6631US JAN JANTX.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 594 B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON POWER RECTIFIER ULTRA FAST RECOVERY LOW LEAKAGE TYPES 1N6664 THROUGH 1N6666 AND 1N6664R THROUGH 1N6666R JAN JANTX JA.pdf DLA MIL-PRF-19500 594 B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON POWER RECTIFIER ULTRA FAST RECOVERY LOW LEAKAGE TYPES 1N6664 THROUGH 1N6666 AND 1N6664R THROUGH 1N6666R JAN JANTX JA.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 595 K-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE REPETITIVE AVALANCHE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7236 2N7237 2N7236U AND 2N7237U JAN JANTX JANTXV JANS JANHC.pdf DLA MIL-PRF-19500 595 K-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE REPETITIVE AVALANCHE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7236 2N7237 2N7236U AND 2N7237U JAN JANTX JANTXV JANS JANHC.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 598 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Quad Field Effect Transistor P-Channel and N-Channel Silicon Type 2N7336 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 598 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Quad Field Effect Transistor P-Channel and N-Channel Silicon Type 2N7336 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 599 D VALID NOTICE 1-2008 Semiconductor Device Quad Field Effect Transistors P-Channel Silicon Type 2N7335 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC and JANKC.pdf DLA MIL-PRF-19500 599 D VALID NOTICE 1-2008 Semiconductor Device Quad Field Effect Transistors P-Channel Silicon Type 2N7335 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC and JANKC.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 6 C VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Germanium Low Power Types 2N43AZ1 2N43AZ2 2N44AZ1 and 2N44AZ2.pdf DLA MIL-PRF-19500 6 C VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Germanium Low Power Types 2N43AZ1 2N43AZ2 2N44AZ1 and 2N44AZ2.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 考试资料 > 中学考试

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1