NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3 terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf

上传人:tireattitude366 文档编号:1004791 上传时间:2019-03-18 格式:PDF 页数:14 大小:395.78KB
下载 相关 举报
NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3  terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf_第1页
第1页 / 共14页
NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3  terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf_第2页
第2页 / 共14页
NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3  terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf_第3页
第3页 / 共14页
NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3  terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf_第4页
第4页 / 共14页
NF R13-503-3-2009 Lead-acid starter batteries - Part 3  terminal system for batteries with 36 V nominal voltage 《铅酸起动蓄电池 第3部分 标称电压为36 V的蓄电池终端系统》.pdf_第5页
第5页 / 共14页
点击查看更多>>
资源描述

1、NF EN 50342-3January 2009Ce document est usage exclusif et non collectif des clients Saga Web.Toute mise en rseau, reproduction et rediffusion, sous quelque forme que ce soit,mme partielle, sont strictement interdites.This document is intended for the exclusive and non collective use of Saga Web cus

2、tomers.All network exploitation, reproduction and re-dissemination,even partial, whatever the form (hardcopy or other media), is strictly prohibited.Saga WebFor SHANGHAI INTERNAT SCIENCE - capuchon en plastique de protection du cne en plomb (Figure 3); - ergots de fixation du dispositif de protectio

3、n anti-contact; - dispositif de protection anti-contact (Figure 4). Ergot de fixation du dispositif de protection anti-contact (dtail) Buselure (dtail) Figure 2 Coupe transversale A-A dune borne - 7 - EN 50342-3:2008 4.2.3 Borne de base avec manchon de contact La borne de base est un cne en plomb (i

4、llustr en hachur) avec un manchon en laiton tame pour le contact lectrique (illustr en double hachures). Le contact peut tre positionn et orient dans la niche prs de la borne avec un angle de plus de 225. NOTE Il est ncessaire de spcifier ultrieurement la surface du manchon tam. En partie haute, le

5、manchon prsente une rainure priphrique. Cette rainure peut tre utilise pour des fixations mcaniques supplmentaires du contact lectrique. La portion libre du cne en plomb peut tre utilise par le fabricant de la batterie pour la formation. Ce cne en plomb est couvert au moyen dun capuchon en plastique

6、 (4.2.5) avant la livraison de la batterie. 4.2.4 Ergots de fixation du dispositif anti-contact orientable La surface du couvercle de la batterie comprend six ergots de fixation du dispositif anti-contact disposs circulairement autour du centre de chaque borne. Ces ergots ont des rainures lintrieur

7、pour tenir le dispositif anti-contact orientable. Cinq de ces ergots ont aussi des rainures lextrieur (ce nest pas ralisable pour le sixime pour des raisons de procd de fabrication). Ces rainures peuvent tre utilises alternativement pour la fixation mcanique ou pour le contact lectrique si ncessaire

8、 NOTE Si elles ne sont pas ncessaires, les rainures extrieures peuvent tre supprimes. 4.2.5 Capuchon en plastique de protection de borne Le capuchon de protection de borne conformment la Figure 3 empche les courts-circuits entre les deux polarits. En mme temps, le capuchon de protection de la borne

9、 avec le dispositif lanti-contact (4.2.6) empche lusage de cbles daide au dmarrage. Le capuchon en plastique est mont par le fabricant et reste en place sur la batterie pendant toute la dure de vie de la batterie. Le capuchon sencliquette sur le contour priphrique suprieur du manchon de contact et f

10、erme et obture le manchon ce niveau. Pour faire le contact, le connecteur est pouss sur le dessus du capuchon. 4.2.6 Dispositif anti-contact orientable La borne de la batterie est couverte sur toute sa hauteur dun dispositif anti-contact orientable (Figure 4). Ce dispositif anti-contact est un cylin

11、dre de plastique et il est connect en permanence au couvercle de la batterie avec des ergots. La fente dans les cylindres est utilise pour linsertion et le positionnement des cbles de batterie. Les bornes de batterie et les dispositifs anti-contact ont les mmes dimensions pour les deux polarits. Afi

12、n dempcher une inversion de polarit, le dispositif anti-contact prsente diffrents codes de position. 4.2.7 Espace libre derrire la borne Le couvercle de la batterie prsente un espace libre rectangulaire de dimensions minimum de 50 mm x 50 mm en arrire des bornes. Cet espace libre peut tre utilis pou

13、r des composants comme des quipements lectroniques ou des quipements de distribution. En outre, lespace libre peut tre utilis pour viter les tensions mcaniques entre le cble de la batterie et la buselure. EN 50342-3:2008 - 8 - 4.2.8 Marquage de la polarit Pour le marquage de la polarit, des signes d

14、e polarit sont mouls dans le couvercle de la batterie. De plus, les capuchons de protection des bornes sont marqus avec des couleurs diffrentes. Figure 3 Capuchon en plastique de protection du cne en plomb - 9 - EN 50342-3:2008 Figure 4 Dispositif anti-contact avec codification de polarit III NF EN

15、50342-3 Accumulateurs UTE/UF 21 Liste des organismes reprsents dans la commission de normalisation Secrtariat : UTE BNA (BUREAU DE NORMALISATION DE LAUTOMOBILE) - UTAC EDF (ELECTRICITE DE FRANCE) FRANBAT (SYNDICAT FRANCAIS DES BATTERIES) GIMELEC (GROUPEMENT DES INDUSTRIES DE LEQUIPEMENT ELECTRIQUE, DU CONTRLE-COMMANDE ET DES SERVICES ASSOCIES) MINISTERE DE LA DEFENSE PSA PEUGEOT CITROEN RENAULT SNCF (SOCIETE NATIONALE DES CHEMINS DE FER FRANCAIS)

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA MIL-PRF-19500 628 B-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRA-FAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6690 THROUGH 1N6693 1N6690US THROUGH 1N6693US JAN JANTX JANTXV AND JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 628 B-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRA-FAST RECOVERY POWER RECTIFIER 1N6690 THROUGH 1N6693 1N6690US THROUGH 1N6693US JAN JANTX JANTXV AND JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 630 F-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7389 2N7390 2N7389U 2N7389U5 AND 2N7390U 2N7390U5 JANTXV R AN.pdf DLA MIL-PRF-19500 630 F-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7389 2N7390 2N7389U 2N7389U5 AND 2N7390U 2N7390U5 JANTXV R AN.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 631 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Filed Effect Radiation Hardened Total Dose and Single Event Effects) Transistors N-Channel Silicon Types 2N7395 2N7.pdf DLA MIL-PRF-19500 631 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Filed Effect Radiation Hardened Total Dose and Single Event Effects) Transistors N-Channel Silicon Types 2N7395 2N7.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 632 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistors N-Channel Silicon Types 2N7399 2N.pdf DLA MIL-PRF-19500 632 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistors N-Channel Silicon Types 2N7399 2N.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 633 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7403 AND 2N7404 JANSD AND JANSR.pdf DLA MIL-PRF-19500 633 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS P-CHANNEL SILICON TYPES 2N7403 AND 2N7404 JANSD AND JANSR.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 634 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7405 2N7406 2N7407 AND 2N7408 JANSD AND JANSR.pdf DLA MIL-PRF-19500 634 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7405 2N7406 2N7407 AND 2N7408 JANSD AND JANSR.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 638 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistor N-Channel Silicon Type 2N7410 JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 638 B VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistor N-Channel Silicon Type 2N7410 JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 639 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects)Transistor P-Channel Silicon Type 2N7411 JANSD.pdf DLA MIL-PRF-19500 639 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects)Transistor P-Channel Silicon Type 2N7411 JANSD.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 642 D VALID NOTICE 1-2012 Semiconductor Device Diode Silicon Power Rectifier Dual Common Cathode or Anode Center Tap Ultrafast Types 1N6762 Through 1N6765 and 1N6.pdf DLA MIL-PRF-19500 642 D VALID NOTICE 1-2012 Semiconductor Device Diode Silicon Power Rectifier Dual Common Cathode or Anode Center Tap Ultrafast Types 1N6762 Through 1N6765 and 1N6.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 标准规范 > 国际标准 > 其他

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1