1、中FL 5961 电SJ 50033.48 94 Semiconductor discrete device Detail specification for type 2DV8cp silicon microwave detector diode 1994-09-30发布1994-12-01实中华人民共和国电子工业部批、中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件2DV8CP型硅微波检波二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 2DV8cp silicon microwave detector diod
2、e 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了2DV8CP型硅微被检、波二极管(以下简1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 . 3. 1 器件的等级件)的详细按GJB33(半导体分立器件总规范第1.3条的规定，提供的二级，分别用字母GP，GT表示。2 引用文件3 GB 8570 86 微波二极管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 85 半导体分立器件试验方法GJB 1557 92 半导体分立器件微波二极管外形尺寸3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的
3、设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层SJ 50033.48 94 级为普军和特军引出端材料应为铜，引出端表面应为镀银层。对引出端材料另有要求时，在合同或订货单中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 1一中应明确规定(见6.3)。3.2.2 外延平面，芯片内引线采用热型外壳内。3.2.3 外形尺寸泪50033.4894 ，反面用高温金桨与管壳烧结，用瓷碗封外形尺寸按GJB1557 92的W-15型，见图1。唱o 吨毛|苯4.8 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定型号V. (V) 2DV8CP 1. 0 3
4、.3.2 主电特性(TA = 25C) Tss P l -H 、.可立21士0.5图1外形图PMP EMP T(JP (mW) (J) (C ) 500 4X lO-7 -55-125 VSWR IR ZVF 极If = 9. 375GHz I f= 9. 375G出f= 9.375GHz I VR = lV I lp = 50A 于炮T啕(C ) - 55-150 M t:.f = 3MHz Pin =20W Pin=20川|I f = 9.打印刷f= 9.375G施lp = 50A lp = 50A (dBm) (A!W) (0) 型号1|最1 :最大值最小最大值最2DV8CP 50 4.
5、0 一I2.0 I一I10 I I 1000 3.4 电测求电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检鉴定检验按GJB33的规定。 一2一SJ 50033.48 94 由4.3 (仅对GT级)GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行。超过本规限值的器件应予朋阳。试验方法方法号范表1试和试(见GjB33袤2)3 热冲击-55-150t 10次阳一则-m一则TA = 125t, vR = 0.8V 表1的A2分组要求IF = 1. 5mA 96h 表1的A2和A
6、4分组。4 196000m/ 52 X、Y方向各1min度程检C 1038 4.4 质量一致性检验致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组A组检瞌应按GJB33和本规1的规定进行。 4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表3和下列4.5. 1 脉冲测试冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组。范表4的步。GB 6570 极值栓或试LTPD 符号单位最大值方条件最小值Al分组GJB 128 5 外观和机械2071 A2分组5 反向电流7. 1. 2 VR = 1V IR 10 A 电流员7.5
7、 f = 9.375GHz 4.0 A/w Pin = 20W IF = 50严AA3分组5 工作TA = 125t 反向电7. 1. 2 VR = lV IR 100 P.A 一3一SJ 50033.48 94 续表1GB 6570 极限值检挫或试LTPD 符号单位方法条件A4分组5 电压比7.2.1 f = 9.375GHz VSWR 2.0 pm=20W IF = 50A 视频阻抗7.9 IF = 50A ZVF 1000 a f = 9.375GHz 表2B组检验方法GJB 128 条LTPD 或试验件Bl 标志的耐久性四分热冲击(密封最后15 1022 低温为-551:，循环10次外
8、.其余同试验条件B。试验条件C10 环)1051 1071 : 见表4，1、3组分.复回重5 见本规ITA = 251:脉冲功率5佣mW，脉冲宽度范附录I1s重复频率1kHz.最短持续时问lminA 1见表4，步骤2、4最后测试:B6分组寿命(非工作状态)最后测试:7 1032 T A = 1501: 340h 见表4，步骤2、4表3C组检验检验试件m一条B-q一法古川川LTPD Cl分组外形尺寸15 2066 I见图1分组10 热冲击(玻璃应力)1056 条件A引出度本规市附录B密封1071 粗试验条件C期1021 省略处理4一外最-检C3分组冲击g 或试方2071 2016 臼50033.
9、4894 续表3GJB 128 条件见表4，步骤1、3技14700mJs2(1500g)0.5ms在X、Y方向上各冲击5次恒2056 2006 196000rn!s, (20Og)，在X、Y方向上备进行lmin 见表4，1、3表4B组和C试GB 6570 步或试符方条件1 反向电流7. 1. 2 VR = lV 2 反向电流7. 1. 2 VR = lV 3 电流灵敏度7.5 pjn=20W IF = 50A f = 9.375GHz 4 电流灵度7.5 pinz20W IF = 50A f = 9.375GHz 5 准备5. 1 要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB3
10、3的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范6.2 订货资料设备设计使用和供现有的后勤保合同或订单应规定下列内传:a. 本规范的名称和编号;号最小值最R 10 IR 20 P 4.0 3.5 。LTPD 10 单位P.A A A/w A/W 5一SJ 50033.48 94 b. (见1.3.1);C. d. 6.3 对引出时，典型特性曲6一，其他:scr:. J、。层有特殊要求时，应在合同或订货合同或订货单中规定。中规定(见3.2.1)。如使用单位SJ 50033.48甲94附录A方法(补充件)Al 目的本试验的目的是为了确定二极管抗重复脉
11、冲的能力。A2 测二极管脉冲发生脉冲监视设备图Al重复脉冲试验图A3 将脉冲发生器输出调到规定的脉冲宽度、脉冲电压和脉冲重复率，通过脉冲监视设备使脏冲方向确保二极管导通，然后将被试二极管插入试验电路。在经历了规定的最短时间后规定的参数。当参数超过规定的最大值(或最大变化量)时，该二极管为不合鹅品。A4 规定条件a. 脉冲宽度;b. 脉冲电压;C. 脉冲重复率;d. 最短持续时间;e. 所加脉冲的方向。81 目的附录B扭力矩试验方法(补充件)本试验是为了检验器件引出端和资管之间的抗扭力能力。82 设备扭力短试验需要专用夹具，固定器件的一端并在另83步力矩的。一7一SJ 50033.48 94 对正微波二极管轴线上加扭力矩。使雷管与封装处承受扭力短，其力矩为使电极松开的方向，且平稳无跳动。扭力矩73.SmN.m作用时间缸。解除力矩后用10验，若发现断裂、松动或电极与资管之间相对移动，则判定该二极管为不合格品。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营九七0厂和中国电子技术标准化研究所。本规范主要起草人:沈继昌程红金贵永。计划项目代号:B21028。 一8一
