1、 1 印行年月 94 年 12 月 本標準非經本局同意不得翻印 中華民國國家標準 CNS 總號 類號 ICS 17.220.99 C6427-114958-1經濟部標準檢驗局印行 公布日期 修訂公布日期 94 年 12 月 5 日 年月日 (共 99 頁 )體曝露於手持式及佩載式無線裝置之射頻場體模型、儀器及程序第 1部使用時靠近耳朵之手持式裝置(頻率介於 300 MHz 3 GHz) 之比吸收率(SAR)量測程序 Human exposure to radio frequency fields from hand-held and body-mounted wireless communic
2、ation devices Human models, instrumentation, and procedures Part 1: Procedure to determine the specific absorption rate (SAR) for hand-held devices used in close proximity to the ear (frequency range of 300 MHz to 3 GHz) 目錄 節次 頁次 1. 適用範圍 4 2. 引用標準 4 3. 用語釋義 4 4. 符號及縮寫 9 5. 量測系統之說明 11 6. S A R 評估之規定
3、17 7. 不確定度評估 27 8. 量測報告 41 附錄 A (規定 )人體模型說明 43 B (規定 )量測設備及不確定度評估之校正 (線性度、等向性及靈敏度 ) 49 C (規定 )後處理之技術及不確定度評估 63 D (規定 )SAR 量測系統驗證 68 E (參考 )實驗室比對 75 F (參考 )人體模型座標系統與待測裝置座標 系統之定義 76 G (參考 )有效偶極天線 78 H (參考 )平坦人體模型 80 I (參考 )人體模型頭部模擬組織液之配方 82 J (參考 )液體之介質特性量測及不確定度評 估 84 2 CNS 14958-1, C 6427-1 參考 93 英中對
4、照表 98 圖 1. 顯示耳朵參考點 RE 與 LE、嘴部參考點 M、參考線 N-F 及中央帶之人體模型圖 12 2. 延長箭頭之邊緣對分人體模型 (顯示用於安置設備作為 SAR 之測試面 ) 13 3. 包含 B-M 之參考平面的 SAM 截面 14 4. 顯示相關標示之人體模型側視圖 15 5. 在兩種裝置範例上之手持話 機垂直與水平參考線及參考點 A、 B 20 6. SAM 左側上無線裝置之面頰位置 21 7. SAM 左側上無線裝置之傾斜位置 22 8. 量測程序之方塊圖 24 9. 以二不同位置顯示探棒與表面垂直線之方向 26 10. 與人體模型表面有 關之平均立方體的方位與表面
5、39 A.1 附錄 A 表 A.1 所規定尺度之說明 44 A.2 右耳之平面模型 46 A.3 人體模型相關標示之側面圖 47 B.1 使用縱向矩形波導評估靈敏度 ( 轉換因素 ) 之實驗裝置 52 B.2 天線增益評估配置之說明 54 B.3 評估在模擬組織液中球體等向性偏差 之配置 57 B.4 評估在模擬組織液中球體等向性偏差之可替代配置 58 B.5 半球體等向性評估之實驗設置 11 59 B.6 偶極天線位置 ()和極化 ()之規定 11 59 B.7 參考天線軸等向性之量測 60 B.8 參考天線半球體等向 性之量測 61 C.1 三點法 64 C.2 切面法 64 C.3 平均
6、法 65 C.4 外推之平均法 65 C.5 依所測得數據 (平方 )之最小平方多項式擬合、對人體模型內部表面之 SAR 數據的外插法 66 D.1 系統檢查之配置 70 F.1 SAM 人體模型之參考座標系統範例 76 F.2 待測裝置座標系統之範例 77 G.1 參考偶極天線之機械細節 79 H.1 用以獲得 W 及 L 最小尺度之平坦人體模型配置的尺度 80 H.2 FDTD 預測 10 g 平均空間峰值之 SAR 中的不確定度，作為平坦人體模型尺度之 3 CNS 14958-1, C 6427-1 函數 (與無限遠之平坦模型相比較 ) 81 J.1 溝槽線之配置 85 J.2 內外半徑
7、分別為 a 和 b 之開端式同 軸探棒 87 J.3 TEM 傳輸線介質測試配置 60 89 表 1. 模擬組織液之介質特性 16 2. 用以評估後處理之參考 SAR 值 (W/kg) 36 3. 手持話機 SAR 量測之不確定度評估模板 40 A.1 有關人體模型外形之頭部尺度：與 弋登報告 18中第 90 百分值男性頭部比較之SAM 尺度 18 45 A.2 SAM 人體模型和 CAD 檔案設計之指引 46 B.1 溫度探棒轉換校正之不確定度分析 51 B.2 使用波導管內可解析場分布校正之不確定度模板 53 B.3 用以評估參考偶極天線增益之不確定度模板 55 B.4 使用參考天線校正之
8、不確定度模板 56 D.1 參考偶極天 線和平坦人體模型參考 SAR 值之數值 74 G.1 參考偶極天線之機械尺度 78 H.1 附錄 D 表 D.1 用以計算 SAR 值之參數 81 I.1 達到目標介質參數之建議配方 83 J.1 計算各種參考液體介質特性之參數 90 J.2 2 0時之參考液體的介質特性 91 J.3 不確定度模板及 介質常數 (r)與導電率 ()量測數值之範例 92 4 CNS 14958-1, C 6427-1 1. 適用範圍：本標準適用於與使用時極接近人體頭部及靠在人耳之裝置的輻射部位一起使用之電磁場 electromagnetic field， (EMF)的發射
9、設備，包括行動電話，無線電話等。頻率範圍為 300 MHz 至 3 GHz。 本標準之目的在於明確規定證明該設備符合其比吸收率 (SAR)限制值之量測方法。 2. 引用標準 CNS 17025 測試與校正實驗室能力一般要求【 ISO 17025 1999 年版】 ISO Guide:1995, Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement 3. 用語釋義 下列術語與定義適用於本標準。 3.1 衰減係數 (attenuation coefficient)：說明於發射源與將定點間之人頭或身體組織所產生衰減之數值因子。 3.2 平均 (暫
10、時 )吸收功率 average (temporal) absorbed power：平均時間內能量轉移之值： =21tt12avgtd)t(Ptt1P 式中， t1開始曝露之時間 (s)； t2停止曝露之時間 (s)； t2 t1持續曝露之時間 (s)； P(t) 瞬時吸收功率 (W)； avgP 平均功率 (W)。 3.3 軸之等向性 (axial isotropy)：當探棒沿著主軸旋轉時 SAR 之最大偏移，此時探棒係沿著主軸曝露於參考波衝擊之方向上。 3.4 基本限制 (basic restriction)：人體曝露於時變電、磁及電磁場時直接 影響健康之限制。 備考：本標準頻率範圍內，作
11、為基本限制使用之物理數量即為比吸收率 (SAR)。 3.5 邊界效應 (探棒 )boundary effect (probe)：當電場探棒置於介質邊界（小於探棒尖端之直徑）時探棒靈敏度之變化。 3.6 複電容率 (complex permittivity)：電通量密度在電場作用力中某一點的比率。生物組織的電容率取決於頻率。 0rED= rr式中， Dr電通量密度 (C/m2)； Er電場強度 (V/m)； 0 自由空間中之電容率 = 8.85410-12(F/m)； r 複相對電容率：orrrrjj+= 。 3.7 傳導輸出功率 (conducted output power)：與在正常操作條
12、件下之調變過程中所遭遇最低頻率之週期比較，在一段足夠長之時間間隔期間，由發射器提供至天 5 CNS 14958-1, C 6427-1 線傳輸線之平均功率。 3.8 導電率 (conductivity)：介質中傳導電流密度與電場強度的比值： EJvv= 式中， Er電場強度 (V/m)； Jr電流密度 (A/m2)； 介質之導電率 (S/m)。 備考： 等向性介質之導電率為純量；非等向性介質之導電率則為張量，此時係指 與 Er之外積。 3.9 檢測限制值 (detection limits)：低 (高 )檢測限制值定義為量測儀器的最低 (最高 )數值響應。 3.10 工作因數 (duty fa
13、ctor)：脈衝波持續期間與週期性脈衝波的脈衝週期之比。 3.11 導電率 (electric conductivity)：參照導電率 (conductivity)。 3.12 電場 (electric field)：向量場量 ( Er)作用於任一電子 (q)時所施加的力 ( Fr)： Fr= Eqr式中， Fr施力 (N)； q 電荷量 (C)； Er電場強度 (V/m)。 3.13 電通量密度 (電位移 )electric flux density (displacement)：藉由增加電極化 Pr作用於規定點、加上電場強度與介質常數之積： PED0vvv+= 式中， Dr電通量密度 (C
14、/m2)； 0 自由空間中之導電率電容率 = 8.85410-12(F/m)； Er電場強度 (V/m)； Pr介質之電極化 (C/m2)。 備考：為了本標準之目的，電通量密度等於電場強度和介質常數之積 EDrrr= 3.14 手持話機 (handset)：使用時靠近頭部側邊之手持話機，其由音頻輸出或由耳機與話筒所組成，亦包含無線發射器及接收器。 3.15 半球體等向性 (hemispherical isotropy)：當探棒沿著主軸轉動時， SAR 之最大偏移量，其中探棒曝露於自探棒前之半空間 (half space)入射之參考波，此參考波隨探棒軸線之入射角度改變。 3.16 等向性 (is
15、otropy) ：參照軸之等向性 (axial isotropy) 、半球體等向性(hemispherical isotropy)、探棒等向性 (probe isotropy)。 3.17 線性誤差 (linearity error)：某一定義區間上，在其量測範圍內自最接近線性之參考曲線所測量之最大偏移量。 6 CNS 14958-1, C 6427-1 3.18 損耗正切 (loss tangent)：材料之複相對電容率的虛部和實部之比值。 0rrrtan= 式中， tan 損耗正切 (無尺度 )； r 複相對電容率之虛部； r 相對電容率之實部； 0 自由空間中之電容率 = 8.85410
16、-12(F/m)； 角頻率 ( = 2f)(rad/s)； 介質之導電率 (S/m)。 3.19 磁場 (magnetic field)：磁通密度 Bv除以導磁係數 ()減去磁化強度 Mr： MBHrrr= 式中， Hr磁場強度 (A/m)； Bv磁通密度 (T)； 真空中之導磁常數 (導磁係數 )(H/m)； Mr磁化強度 (A/m)。 備考：為了本標準之目的，在所有點上 0M =r。 3.20 磁通密度 (magnetic flux density)：一質點上之向量場大小會導致一個速度vv之電荷產生作用力 ( )Fv，此作用力等於向量積 Bvrr 與該電荷之電荷量 q 之積： BvqFrr
17、r= 式中， Fr作用於質點上的向量力 (N)； q 質點上之電荷量 (C)； vr質點移動之速度 (m/s)； Br磁通密度 (T)。 3.21 磁導係數 (magnetic permeability)：純量或張量 與介質中磁場之積，等於磁通密度 Br： HBrr= 式中， Hr磁場 (A/m)； 真空中之導磁常數 (導磁係數 )(H/m)； Bv磁通密度 (T)。 備考：等向性介質之導磁係數為純量；非等向性介質之導磁係數為張量。 3.22 量測範圍 (measurement range)：量測系統之操作間隔，其受限於較低和較高之檢測限制值。 3.23 移動式 (無線 )裝置 mobile
18、(wireless) device：就本標準而言，係指使用時接近頭部靠在耳朵上之無線通訊設備。 備考：“移動式”和“攜帶式”在 IEC 60050 標準中具有相同特性的通稱。 7 CNS 14958-1, C 6427-1 “移動式”通常指可在被移動時操作 (IEV 151-16-46)；而“攜帶式”則指可為個人所攜帶 (IEV 151-16-47)，“攜帶式” 通常意味著在攜帶時操作。這些定義在各種有關無線之相關法規和工 業規範中可互換使用；在某些情狀下與無線設備之種類有關，而在其 他情況下則係指無線設備之使用。 3.24 多頻帶 (無線設備 ) multi-band (wireless d
19、evice)：可操作於多種頻帶之無線設備。 3.25 多模 (無線設備 ) multi-mode (wireless device)：可操作多種傳輸訊號模式之無線設備，例如：類比、分時多重進接、分碼多重進接。 3.26 平均空間峰值之 SAR (peak spatial-average SAR)：其特定質量之最大 SAR 平均值。 3.27 穿透深度 (penetration depth)：參照集膚深度 (skin depth)。 3.28 電容率 (permittivity)：參照複電容率 (complex permittivity)、相對電容率 (relative permittivity
20、)。 3.29 人體模型 (頭部 ) phantom (head)：本標準中，人體模型係指外型與人類解剖結構相似之模型或塑像，且其構成材料之電性特性皆與對應之組織相似。 3.30 耳廓 (pinna； auricle)：外耳之主要 軟骨突出部分，包含耳輪、耳垂與反耳輪。 3.31 功率 (power)：參照平均 (暫時 )吸收功率 average (temporal) absorbed power、傳導輸出功率 (conducted output power)。 3.32 探棒等向性 (probe isotropy)：電場或磁場探棒響應之程度與入射波極化之方向無關。 3.33 相對電容率 (r
21、elative permittivity)：複電容率與自由空間中電容率之比值。複相對電容率： 0r=在等向性、線性有損介質中表示如下：()=+= tanj1j1jjrrrr0rrrr式中，0 自由空間中之電容率 (8.854 10-12F/m) (F/m)； 複電容率 (F/m)； r 複相對電容率 (F/m)； r 複相對電容率之實部，亦稱為介質常數； r 複相對電容率 介質損耗指標 (dielectric loss index)之部分，以介質損耗表示； 導電率 (S/m)； 角頻率 (rad/s)； tan 損耗正切。 3.34 響應時間 (response time)：測量設備要求在一個
22、輸入信號的刻度變化之後達到最終值之 90%所需之時間。 3.35 掃描系統 (scanning system)：一個能把量測探棒放在指定位置的自動定位系統。 8 CNS 14958-1, C 6427-1 3.36 (量測系統之 )靈敏度 sensitivity (of a measurement system)：系統響應量 (例如：電壓 )對量測值 (例如：場強平方 )之比值。 3.37 集膚深度 (skin depth)：從介質之邊界算起，至某點感應電流密度或場強已減少至初始邊界條件的 1/e 之距離。 介質之集膚深度 視沿著傳播方向之電磁波的傳播常數 而定 56。傳播常數則依材料之介質特
23、性及傳播模式之特性而定。 集膚深度定義為 : Re1= 式中，因子 = + j； 為衰減常數， 為傳播波之相位常數，且 2c22k+= 式中， 和 分別為介質之導磁係數和複相對電容率，且2ck 為該模式之橫向傳播常數。因此， kRe12c2+= 自由空間中之傳播常數 0k2c= ，則集膚深度之公式表示為： 2120r0r01121+ =式中， 集膚深度 (m)； 角頻率 (rad/s)； r 複相對電容率之實部； 0 自由空間中之電容率 (F/m)； 0 自由空間中之導磁係數 (H/m)； 介質之導電率 (S/m)。 備考：在矩形導波管之 TE10模式中，具有最大截面尺度 a： 22cak =
24、 3.38 比吸收率（ specific absorption rate, SAR）：由體積元素 dV（質量密度為 ）內增量質量 (dm)吸收的增量電磁能 (dW)之時間導數。 =dVdWdtddmdWdtdSAR SAR 亦可以下列兩式表示： =2ESAR 0thtdTdcSAR= 式中， SAR 比吸收率 (W/kg)； 9 CNS 14958-1, C 6427-1 E 組織中電場強度之均方根值 (V/m)； 組織之導電率 (S/m)； 組織之密度 (kg/m3)； hc 比熱容 (J/kg K)； 0ttdTd=組織中溫度之初次時間微分 (K/s)。 3.39 (組合 )不確定度 un
25、certainty (combined)：量測結果之標準不確定度，當該結果係得自一些其他量之數值時，等於這 些項總和之正平方根，此項為這些量之值 (依量測結果隨這些量之變化予以加權 )的變異數 (variances)及 (或 )協方差(covariances)。 3.40 (擴充 )不確定度 uncertainty (expanded)：定義有關量測結果間隔之量，包括一些可歸因於該量測之數值分布。 3.41 (標準 )不確定度 uncertainty (standard)：量測結果之評估標準差，等於所評估變異數之正平方根。 3.42 波長 (wavelength)：波於傳播方向兩個連續週期相對
26、應相位之兩點間的距離。下式為波長 與相速度及頻率 f 之關係： fvp= 電磁波之波長 於介質中與光速和頻率有關，其表示如下： = fc 式中， f 頻率 (Hz)； c 光速 (m/s)； p 相速 (m/s)； 波長 (m)。 備考：自由空間中電磁波之速度等於光速。 4. 符號及縮寫 4.1 物理量 本標準使用國際上接受之 SI 單位。 符號 量之名稱 單位之名稱 代號 衰減係數 公尺的倒數 1/mB 磁通密度 特士拉 T, Vs/m2D 電通量密度 庫倫 /平方公尺 C/m2ch比熱容 焦耳 /(公斤 K) J/(kg K) E 電場強度 伏特 /公尺 V/m f 頻率 赫 Hz H 磁
27、場強度 安培 /公尺 A/m J 電流密度 安培 /平方公尺 A/m2avgP 平均 (暫態 ) 吸收功率 瓦特 W SAR 比吸收率 瓦特 /公斤 W/kg 10 CNS 14958-1, C 6427-1 T 絕對溫度 克耳文 (溫度單位 ) K 電容率 法拉 /公尺 F/m 波長 公尺 Mm 導磁係數 亨利 /公尺 H/m 質量密度 公斤 /立方公尺 kg/m3導電率 西門 /公尺 S/m備考：本標準中，溫度以攝氏度數表示，定義如下： T (C) = T (K) 273.16。 4.2 常數 符號 物理常數 大小 c 真空中之光速 2.998 108m/s 自由空間中之電阻抗 120 或
28、 377 0 自由空間中之電容率 8.854 10-12F/m 0 自由空間中之導磁係數 4 10-7H/m 11 CNS 14958-1, C 6427-1 4.3 縮寫 縮寫 原文 中文 CAD computer aided design; commonly used file formats are IGES and DXF 計算機輔助設計；通 常使用之文件形式為 IGES 與 DXF DXF digital exchange file 數位交換文件 ERP ear reference point 耳朵參考點 DUT device under test 待測裝置 IGES interna
29、tional graphics exchange Standard 國際製圖交換標準 RF radio frequency 射頻 RSS root sum square 和之平方根 SAM specific anthropomorphic mannequin 特定之模擬人型 5. 量測系統之說明 5.1 一般要求 SAR 量測系統由人體模型、 SAR 的量測儀器、掃 描系統及裝置之支架所組成。 應以微型探棒進行測試，且探棒須自動置於代替人頭曝露在無線裝置產生電磁場之模型中，以便量測模型內部之電場分布。依所測得之電場值，應計算出 SAR之分布及平均空間峰值之 SAR。 執行測試之實驗室應遵守下列
30、環境條件： 周圍溫度應為 18至 25範圍內，而測試期間之液體溫度變化不得超過 2 ； 周圍雜訊不得超過 0.012 W/kg(低檢測限制值 0.4 W/kg 之 3%)； 無線裝置不得與當地之無線網路互相接通； 反射效應、次級 RF 發射器等，應小於所測 SAR 之 3%。 系統之有效性 (validation)應依附錄 D 之規定至少每年進行一次，當一個新系統運作時，或修改系統時，例如：新的軟體版本、不同之電子讀出裝置、或不同型式之探棒。測量設備之製造商亦應聲明其產品符合本標準。 5.2 人體模型之規格（頭殼及液體） 5.2.1 一般要求 電場探棒掃描之範圍為兩個剖 半之人體模型、或在頂部
31、開口之完整人體頭部模型。手持話機測 試之人體模型 (尺寸及外型 )之物理特性係模擬使用者之頭部，因為頭殼外型為評估 曝露值之重要參數。人體模型應使用介質特性類似人頭組織之材料。為使 電場能掃描人頭內部，人頭之材料應由液體組成，且控制液體在頭殼內部 。頭殼材料應儘可能置於裝置輻射之下方。人體模型之製造商應於人體模型上定義至少 3 個參考點，以使掃描系統與人體模型頭殼發生關聯。對於使用者，這些點應為可見的，且至少相隔 10 cm。手持式裝置應不予以模型化 (參照附錄 A)。 5.2.2 標準人體模型形狀及尺寸 標準人體模型形狀係由在 人體測量學研究報告 18中百分之九十多數成年 12 CNS 14
32、958-1, C 6427-1 男性頭部之大小及尺度而得， 其耳朵適合代表手持話機使用者之平坦耳朵 (參照附錄 A)。這些要求如圖 1 所示。 特殊模擬人體模型 (Specific Anthropomorphic Mannequin, SAM)標準人體模型如圖 2 所示，用於本標準之手持話機 SAR 量測。人體模型之內部 (SAM 之計算機輔助設計文件 _ 裡面 )和外部 (SAM _ 外面 )標準人體模型表面之CAD 檔案公開於 3D 計算機輔助設計形式 (3D-IGES 和 DXF)之 CD-ROM中。人體模型之製造商應以文 件證明其產品符合本標準所規定之形狀及厚度。 圖 1 顯示耳朵參考
33、點 RE 與 LE、嘴部參考點 M、參考線 N-F 及中央帶之人體模型圖 RE 右耳參考點 (ERP) LE 左耳參考點 (ERP) M 嘴部參考點 F N-F 線之前端點 (僅限訊息不要求於人體模型上標明 ) N N-F 線之頸部端點 (僅限訊息不要求於人體模型上標明 ) 備考： 完整的頭部模型僅為圖解用，本標準所規定之程序主要作為圖 2 所示人體模型之建立。中央帶區域包含鼻子，有較大之容許差。 5.2.3 人體模型外殼 人體模型外殼材料將對模擬組 織液的全部成分有抵抗力。包括和耳朵間隔物的人體模型外殼是由低電容率和低損失材料組成，帶有相對電容率 5和損耗正切 0.05。與 SAM 人體模型
34、之計算機輔助設計文件 (CAD file)有關的人體模型之形狀，其容許差應小於 0.2 mm。在任何地區手持話機的發射範圍內，頭殼厚度將是 20.2 mm。除了耳朵和被延長的內壁 (如圖 2 中所示 )。低損失的耳朵間隔物 (與頭殼相同材料 )將提供在耳朵參考點 (ERPs)與相等組織液邊界相隔 6 mm 之間隔，其容許差小於 0.2 mm。在中央箭頭形平面 (圖 1)1.0 cm 之中央帶區域中，其容許差為 1.0 mm 中央帶 13 CNS 14958-1, C 6427-1 圖 2 延長箭頭之邊緣對分人體模型 (顯示用於安置設備作為 SAR 之測試面 ) 在圖 1 點“ M”為嘴部參考點
35、，“ LE”為左耳參考點 (ERP)，而“ RE”為右耳參考點 ERP。這些點應於人體模型之外表上標明，以支撐可再現之無線設備與人體模型有關之位置。通過 2 個耳朵參考點及 M 之平面定義為參考平面，且包含線 B-M(背部嘴 )。參考平面之 CAD 檔案橫截面如圖 3 所示。此圖係以 26cm18cm 實際尺寸縮小 1.3 倍繪製而成。為了設備之安排，線 N-F(頸部頭前 )係通過每 ERP 所繪之一直線 (其沿著每側耳朵之正面截斷邊緣 )。線 B-M 和線 N-F 之投影應於人體模型外殼之外表上註明，使設備置於確定之位置 (參照圖 4)。手持話機聲音輸出側之中心位置應對準人體模型之 ERP
36、位置。所有參考點位置規定於 CAD 檔案中。 14 CNS 14958-1, C 6427-1 圖 3 包含 B-M 之參考平面的 SAM 截面 Re f e re n c e Pla n e of SA M phantom10 mm 15 CNS 14958-1, C 6427-1 圖 4 顯示相關標示之人體模型側視圖 B 線 B-M 之後端點 (僅限訊息不要求於人體模型上標明 ) F 線 N-F 之前端點 (僅限訊息不要求於人體模型上標明 ) N 線 N-F 之頸部端點 (僅限訊息不要求於人體模型上標明 ) M 嘴部參考點 RE 右耳參考點 (ERP) 備考： 完整頭部之模型僅作為說明用本
37、標準所規定程序主要係由圖 2 之人體模型配置導出。 5.2.4 模擬組織液特性 人體模型中所使用液體之介質 特性規定於表 1。對在頻率範圍內之其他頻率的等效頭部模擬組織液之介質特性而言，應使用線性內插法。表 1 所示具有參數之液體配方範例如附錄 I 之規定。 16 CNS 14958-1, C 6427-1 表 1 模擬組織液之介質特性 頻率 (MHz) 相對介質常數(r ) 導電率 () S/m 300 45.3 0.87450 43.5 0.87835 41.5 0.90900 41.5 0.971 450 40.5 1.201 800 40.0 1.401 900 40.0 1.401
38、950 40.0 1.402 000 40.0 1.402 450 39.2 1.803 000 38.5 2.405.3 SAR 量測設備之規格 量測設備應當成一個完整的系統來加以校正。探棒應與放大器、量測元件及數據擷取系統 (data acquisition system)一起校正。量測設備應依附錄 B 所規定之方法，於適當操作頻率及溫度下，在各自等效組織液中進行校正。 若在量測期間已指定探棒連接器之負載條件，則允許探棒與該測試系統分開校正。 最小之檢測限制值應低於 0.02 W/kg，而最大之檢測限制值應高於 100 W/kg 。SAR 值在 0.01 W/kg 至 100 W/kg 之
39、範圍內，其線性度應在 dB5.0 以內。靈敏度及等向性應於等效組織液體中測定，響應時間亦須明確規定。 偶極元件附近之保護罩蓋外殼之外部尺寸 (直徑 )應不超過 8 mm。 5.4 掃描系統之規格 5.4.1 一般要求 為了評估三維之 SAR 分布，包含探棒之掃描系統應能掃描整個人體模型之曝露體積。掃描系統之機械結構應不得妨礙 SAR 之量測。掃描系統中之人體模型至少應有 3 個參考點，而這些點係由使用者或系統製造商予以規定。 5.4.2 技術要求 5.4.2.1 準確度 置於整個量測區域之探棒尖端的準確度應優於 0.2 mm。 5.4.2.2 定位解析度 (positioning resolu
40、tion) 定位解析度係量測系統為執行量測時之增量。定位解析度應為 mm1 以下。 5.5 裝置支架之規格 應小心避免由於環境之反射及吸收 (例如：地板、裝置支架、液體表面 )而對 SAR量測產生重大之影響。 裝置支架應可使該裝置依第 6.1.4 節之規定擺置，其傾 斜角度之容許差為 1。支架應以低損耗及低電容率之物質製造，即 ( ) 05.0tan 及 5r 。定位之不確定度依第 7.2.2.4.2 節所規定之程序予以評估。 17 CNS 14958-1, C 6427-1 為證實支架不會干擾 SAR，應使用替代測試方法進行測試，例如使用低相對電容率及低損耗泡沫塊製成之支架取代，或者使用膠帶
41、或線將手持話機黏附於人體模型上 (參照第 7.2.2.4.1 節 )。 5.6 模擬組織液介質特性之量測 在相關之頻率及溫度下測量模擬組織液之介質特性。應評估介質參數，且以線性內插法與表 1 所規定之值比較。所測得之介質特性，若非表 1 所列之值，則 亦可用於 SAR 之計算。可使用附錄 J 所規定之設備及程序進行量測。 備考： 為了本標準之目的，介於表 1 之介質參數與量測值間可允許之差異參照第 6.1.1 節。 6. SAR 評估之規定 6.1 量測準備工作 6.1.1 一般準備工作 進行 SAR 量測之前，除非該實驗室可證明更長時間之符合性 (例如：固定每週一次之量測 )，否則模擬組織液
42、之介質特性應於 24 小時內測量完成。應於同一液體溫度下測量模擬組織液之介質特性，且在 SAR 量測過程中溫度容許差為 2 C。 直到證實 2 GHz 至 3 GHz 範圍內適用於頭部模擬組織液的配方為止，其規定兩個量測介質參數合乎表 1 中數值之 5 %內，則建議依下列規定 (a) 頻率超過 300 MHz 但小於 2 GHz 時，測得之導電率和電容率須在表 1所規定目標值之 5%內 (液體參數之量測不確定度應 個別提出參照第 7.2.3 節 )。 (b) 頻率範圍在 2GHz 至 3 GHz 時，測得之導電率和電容率須在表 1 所規定目標值之 5%內，測得之相對電容率之容許差可放寬至不超過
43、 10 %，但使用之成分應儘量接近表 1 所規定之值。由於介質常數與目標值之偏差對 SAR 所造成之影響應納入不確定度之評估中。 人體模型外殼須於水平人體模型結構之 ERP 上至少 15 cm 注滿模擬組織液。測量前，應小心地攪動該液體，且不可產生氣泡。在頻率 300 MHz 至3 GHz 範圍內以 15 cm 之深度進行量測時，應小心避免自該液體表面產生之反射。液體之黏稠性不可妨礙探棒之移動。 6.1.2 系統檢查 在進行手持話機 SAR 測量之前，應執行依附錄 D 所規定之系統檢查。系統檢查之目的為證實系統係在規定範圍內操作。系統檢 查為一重複性之測試，以確保該系統於符合性測 試期間能正確運作。執行系統檢查係為了檢測短時間內可能之漂移及系統之其他不確定度，例如： 液體參數之改變，例如：由於水之蒸發或溫度改變； 元件故障； 元件漂移； 配置或軟體參數之操作錯誤； 18 CNS 14958-1, C 6427-1 系統中之不利情況，如：RF干擾。 系統檢查為一完整的 1 g 或 10 g 平均 SAR 量測。所測之 1 g 或 10 g 平均 SAR值以標準源之目標輸入功率予以正規化，並與之前所記錄
