GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf

上传人:吴艺期 文档编号:1500452 上传时间:2021-03-28 格式:PDF 页数:5 大小:341.03KB
下载 相关 举报
GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf_第1页
第1页 / 共5页
GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf_第2页
第2页 / 共5页
GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf_第3页
第3页 / 共5页
GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf_第4页
第4页 / 共5页
GA T 1759-2020 法庭科学 模糊字迹显现检验规范.pdf_第5页
第5页 / 共5页
亲,该文档总共5页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、 ICS 13.310 A 92 中 华 人 民 共 和 国 公 共 安 全 行 业 标准 GA GA/T 1759 2020 法庭科学 模糊字迹显现 检验 规范 Forensic sciences Specifications for revealing examination of blurry words 2020-12-03 发布 2021-05-01 实施 中华人民共和国公安部 发 布 GA/T 1759 2020 I 前 言 本标准按照 GB/T 1.1 2009 给出的规则起草。 本标准由全国刑事技术标准化技术委员会文件检验分技术委员会( SAC/TC179/SC10) 提出并

2、归口。 本标准起草单位: 中国人民公安大学、中国刑事警察学院。 本标准主要起草人: 杨玉柱、陈维娜、李开开、李彪、李震、王晓宾、高树辉。 GA/T 1759 2020 1 法庭科学 模糊字迹显现检验规范 1 范围 本标准规定了 法庭科学领域中模糊字迹显现 检验 的前期准备、检验程序、检验方法、检验结果的 表述、 检验记 录、检验材料复制和鉴定文书。 本标准适用于 法庭科学领域的压痕字迹、退色字迹、涂抹掩盖字迹等模糊字迹的显现 检验 。 2 前期准备 2.1 了解案件的 基本 情况。 2.2 审核检材的名称、数量、性状等。 2.3 了解检材 字迹 的形成方式、字迹模糊原因等。 2.4 了解原 检

3、验 情况。 2.5 审核 检验 要求。 3 检验程序 3.1 固定检材原貌 根据检材的性状可采用拍照、扫描等方式固定检材原貌。 3.2 分析检材 3.2.1 分析检材模糊字迹的形成方式及成因。 3.2.2 分析检材的检验条件 : a) 检材不 具备检验条件的,可终止检验; b) 检材具备检验条件的,继续检验。 3.3 检验 3.3.1 检验原则: a) 先无损后有损; b) 使用有损检验方法 前 ,应征得委托单位的同意。 3.3.2 方法选择: a) 根据检材的性状可选择(但不仅限于)第 4 章表 1 中所列检验方法进行检验; b) 宜选择多种检验方法进行综合检验,相互验证; c) 必要时可制

4、作实验样本进行验证。 3.4 记录显现结果 用拍照等方式固定显现结果,并记录检验条件。 4 检验方法 GA/T 1759 2020 2 不同种类模糊字迹显现可选用的检验方法见表 1。 表 1 模糊字迹检验方法 检验方法 检验 对象 压痕字迹 退色字迹 涂抹掩盖字迹 直观检验 显微检验 侧光检验 透光检验 - 静电压痕仪检验 红外线检验 - - 紫外线检验 - 分色检验 - 荧光检验 - 光谱成像检验 - 表面涂层消减检验 - - 化学检验 - 温变检验 a - - 转印检验 b - - 层析检验 c - - 图像软件处理检验 注 1:模糊字迹显现的检验方法包括但不限于本表中所列方法。 注 2:

5、表示优先选用方法,表示可选用方法 , -表示一般不推荐选用的方法。 a 温变检验:采用加热或冷冻等改变温度的方法 ,使待检部位形成颜色或明暗反差,显现退色字迹,但该方 法可能会污染、损坏文件。 b 转印检验:利用字迹层、掩盖层溶解能力的差异,选择适合的化学试剂和配比,将被掩盖字迹部分溶解压 印在浸有化学溶液的纸上,显现涂抹掩盖字迹,但该方法可能会污染、损坏文件。 c 层析检验:选用适合的层析液(如 867显字液)涂抹于掩盖层或文件背面的相应部位,显现 涂抹掩盖字迹, 但该方法可能会污染、损坏文件。 5 检验结果的表述 以显现的图片表达 检验结果。 6 检验记录 GA/T 1759 2020 3 检验记录应包括(但不仅限于)检验方法、检验条件、仪器设备、试剂材料、显现结果。 7 检验材料复制 7.1 根据检材的性状可采用照相、扫描等方式复制检材。 7.2 检材应逐一复制,并应真实、清晰反映出检材的 全貌 。 8 鉴定文书 根据鉴定文书格式规范, 制作 鉴定文书。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA SMD-5962-96594 REV B-2007 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS NONINVERTING OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH THREE-STATE OUTPUTS MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体 .pdf DLA SMD-5962-96594 REV B-2007 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS NONINVERTING OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH THREE-STATE OUTPUTS MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体 .pdf
  • DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS NONINVERTING OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH THREESTATE OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS MONOLITHIC S.pdf DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS NONINVERTING OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH THREESTATE OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS MONOLITHIC S.pdf
  • DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS DUAL 4-INPUT NOR GATE MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体 双重4输入与门硅单片电路数字微电路》.pdf DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS DUAL 4-INPUT NOR GATE MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体 双重4输入与门硅单片电路数字微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-96597 REV C-2013 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS DUAL 4-INPUT NOR GATE TTL COMPATIBLE INPUTS MONOLITHIC SILICON.pdf DLA SMD-5962-96597 REV C-2013 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED ADVANCED CMOS DUAL 4-INPUT NOR GATE TTL COMPATIBLE INPUTS MONOLITHIC SILICON.pdf
  • DLA SMD-5962-96598 REV C-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 32-STAGE STATIC LEFT RIGHT SHIFT REGISTER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体32步静态左右转换寄存器硅单片电路数字微电路》.pdf DLA SMD-5962-96598 REV C-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 32-STAGE STATIC LEFT RIGHT SHIFT REGISTER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体32步静态左右转换寄存器硅单片电路数字微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 9 BIT PARITY GENERATOR CHECKER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT发生器或监测器硅单片电路数字微电路》.pdf DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 9 BIT PARITY GENERATOR CHECKER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT发生器或监测器硅单片电路数字微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-96600 REV A-1998 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 8-STAGE PRESETTABLE SYNCHRONOUS DOWN COUNTERS MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体8步可预先设置的同步计数器硅单片电路数字微电路》.pdf DLA SMD-5962-96600 REV A-1998 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 8-STAGE PRESETTABLE SYNCHRONOUS DOWN COUNTERS MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体8步可预先设置的同步计数器硅单片电路数字微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 4-BIT BIDIRECTIONAL UNIVERSAL SHIFT REGISTER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT双向的转换寄存器硅单片电路数字微电路》.pdf DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS 4-BIT BIDIRECTIONAL UNIVERSAL SHIFT REGISTER MONOLITHIC SILICON《抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT双向的转换寄存器硅单片电路数字微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-96602 REV D-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS FIFO REGISTER MONOLITHIC SILICON.pdf DLA SMD-5962-96602 REV D-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL RADIATION HARDENED CMOS FIFO REGISTER MONOLITHIC SILICON.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 标准规范 > 行业标准 > GA公共安全

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1