1、中，、吨日国电5J 2759 -87 电- 主E因-、，压现1987-02-10发布1987-10-01实中华人民共和国电子工业批准中华人民共电子工标5J 2759-87 2CL21-29型破璃钝化封装高压硅堆详细规范中华人民共和国电子工业部器件质量评定是根据，GB4936.1 85 SJ 2759 87 半导体分立器件总规范2CL21 29型玻璃钝化封装高压硅堆详细规范订货资料z见本规范第1 机械说明外型符合GB758187中D2 04A的要求。(见本规范10.1条) 中华人民共和国电子工业部1987-02-10发布2 简瞎说明半导体材料:N型硅单晶封装z非空腔玻璃钝化封装应用z在电视机一体
2、化回扫变压器及其它电子民备中做高压整挠用。3 一一-一一一一-一评定类别E类-一数据z型号lVMM|IF| (kV) I (mA) 2CL21 4 2CL22 6 2CL23 8 2CL24 10 5.0 2CL25 12 2CL26 14 2CL27 16 2CL28 18 2CL29 20 VFM (V) 主主12.5王三17.5主三254王3037.5 岳王45三三50主三55主主62.5一-一, 一trr (s) 10 电久性IF (AV) = 5mA(正弦.50日创VRM=VRRM 时间，不少于1000h试，夹具应夹在距管体1015mm引线主。最后测试组B8分 9 $J 2759-8
3、7 10 附加资10.1 外形图L L g a 也压单位:mm 最值标称最大值中b20.57 0.6 0.63 中D3.0 2CL21 6.0 一一一一2CL22 6.5 2CL2 3 7.5 2CL24 8.0 G 2CL25 9.0 2CL26 9.5 2CL27 10.5 2CL28 11.0 2CL29 12.0 L 26 L , 2.5 一一一Lz 21 一一图1外形图10.2 反向恢复时间测试披形图IF I.FtM , tyr 医121王向恢复时间测试披形图 10 Al 加速老化SJ 2759-87 录A可焊性试验的补充补充件)对于在器件制成后，又进行抽锡(的器件，中置放1小时。A
4、2 a. 优先采用焊槽站。加速老化。其条件是:100.C b. 必要时，可采用润湿称量讼。按国家标准GB2423.3285电工电子产品基本环境试验规程润温称量怯的可焊性试验方战进行。润温过程，按使用非活性焊剂肘，在3秒钟内达到理论润湿力的35%。.11. SJ 2759-87 B 正向(不重复)5良涌电流测试方法(补充件B1 目的在规寇条件下，验证高压硅堆正向不重复浪涌电流B2 电路图正向(不重复浪桶电流测试电原理图如下z。品可FJs !ils问图Bl电路图B3 电路要求和G是频率为50Hz的正弦半波电流源P为峰宣读数仪表或记忆示波器等D为被测高压硅堆S为控制器B4 测试步将G调至零，开启控制器。将模拟样品放在被测硅堆D的电流也达到规定值。然后关断控制器。用被测硅堆置换模拟样品，开启堆施加正向浪捅电流。根据试验后的测试来验证被测管承受正向浪涌电流额寇值的能力。B5 规定正向I良捅电梳额寇值3每次浪诵的周期被数，t良捅次数和环境温度。, 节G，使P的读数达到规寇值。此时，正向浪捅器，按规定的周旋数，浪捅次数和率卒， 12 SJ 2759- 87 附加说明本标准由电子工业部标准化研究所提出。本标准由天津第三半导体器件厂负责起草。本标准主要起草人z玉思平、王大立、黄宗芬、 13
