1、BJ 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/110-96 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GR9413 infrared light emitting diode 1996“08-30发布1997翩。1翩。1实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内睿半导体光电子器件GR9413到红外发射工极管详细规范Semiconductor optoelectronic devices
2、 Detail specification for type GR9413 infrared light emitting diode SJ 50033/110-96 本规范规定了军用GR9413型红外发射二极管（以下简称器件）的详细要求。1. 2 适用报圃本规施适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类按GJB33（半导体分立糯件总规范的规定，提供的质量保证等级为普率银（GP）和特军级(GT）二级。2 51用文件GB 11499-89 半导体分立器件文字符号GJB 33-85 半导体分立糯件总规殖GJB 12886 半导体分立器件试验方法匈2355.3-83半导体发光器件测试方法反向电流的
3、测试方法创2658-86半辱体红外发光二极管测试方法创Z9014.2-87半导体器件分立器件和集成电路第五部分：光电子樨件3 要求3. 1 详细要求各条要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构与外形尺寸器件的设计、结构应按GJB汩的3.5.1、3.5.3、3.5.5和3.5.7以及本规范的规定。管芯结构为固发光盟。外形尺寸符合本规班回1的规定。中华人民共和国电子工业部19968-30发布1997”。1-01实施时50033/11。”963.2. 1 管芯材料管芯材料为耐化憾。3.2.2 外形尺寸及引出端识别（见阁。H3 。尺寸数值尺寸符号最小标称最大符号b o.s 一H3 D 1.
4、 s 一1.6 H4 H 3.0 一3.4 Q 日12.0 2.4 z Hz 0.15 0.2 R 圈1外形尺寸3.2.3 封柴形式玻璃避镜金属同铀式空腔甜被（见图Oo3.3 引出端材料及涂层i记单位：mm数值最小标称最大1. 7 1.9 一一0.15 2.1 2.3 0.35 一 0.25 一正极为可伐，负极为无氧铜，也可按用户要求引出端材料全部为可伐（见6.2），除鹿为镀金。3.4 最大概定值和盘要光电特性3.4. 1 最大额定值（见亵1)YR I (V) (mA) 6 100 注：l)ICM在25125间接lmA/铺性降辙。2）脉冲宽度为2间，占货比为0.196。一2一表1I Tomb
5、T 啕(A) （） （） 1.0 ” SS 125 “SS叫12SSJ 50033/110-96 3.4.2 .要光电特性（见表2)(Tamb=25）表2名称符号条件班向电压v, lr=SOmA 反向电流Ia Va=6V 辐射输出功率 I,=SOmA 峰值射披).p lv=SOmA 光谱辐射带宽.GU 1，踹SOmA半强度角的1，坦SOmA3.5标志省略GJB33中关于糯件上的惊志，其余按GJB33的规定。4 服量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规抱的规定。数值单位最小最大1.S v 100 ,A 1.0 mW 920 960 run so nm 30 40 (.) 4
6、. 1. 1 费4A1分组进行检磁和试磁的器件可以用于A2,A3,A4分额的检验和试瞌，通过A组各分组检瞌和试验的精件，可以作为检验和试验抽样的母体，鉴定试验总样品最（指通过A组检磁批的数最）至少应等于抽样数量的1.5倍。4. 1. 2 亵5B1分组的检验可pj果用光电特性不符合3.4.2条要求的器件。4. 1.3 在做C细检磁中的寿命试验时，制造厂有权选择已经过340h的B组寿命试验的样晶再进行660h的试验，以满足C组寿命试验1000h的要求。4.1.4 亵6C1分组进行检脆的器件可以用于分组的检验和试验。4.2 筛选（仅对GT级）筛选的步牒利条件应按GJB33和本规范表3的规定。表3筛选
7、的步辘和条件（仅对GT级）步骤检翰和试翰GJB 128 符号方楼号条件内部目检2073 赚大30倍检翰（封帽前）2 高温寿命1032 T啕125 （不工作）t=24h 3 热冲击1051 除最高温度（温度循环）125，循环10次外其余按试瞌条件A数值单位最小最大一3时50033/110-96续我3GJB 128 数值步骤检验和试验符号最小单位方法号条件最大4 恒定加速度2006 Y，方向，196000m/s2 s 密封1071 a.细检漏a.试验条件H最大漏SmPa.cm勺，b.粗检捅b.试磁条件C,飘泊，1256 高瘟反偏（不适用）7 中间光电参数测试正向电服臼2658.2p拮SOmAVF
8、1.5 v 反向电流SJ 2355.3 Va=6V Ia 100 p.A 辐射功惑町Z9014.2 IF=SOmA 知1.0 mW IV, 1.3 8 电老化1038 IF= 100mA （正向偏t = 168h 9 最后测试（老化厨师h内究成）lE向电压变化撒匈2658.2IF=SOmA /J.VF 0.2IVD v 牺射功率变化最SJ/Z师14.2IF=SOmA /J.h 0.2IVD mW IV, 1.3 反向电流变化肇SJ 2355.3 Va嚣6V/J.Ia 1.0IVD p.A 或sop.A取较大者10 密封（不要求）11 外观及机械检验2071 外观光缺摘无明显锈蚀4.3 鉴定检验
9、鉴定检验应按GJB33和本规拖表4、表5和表6的规定。4.4 质最一致性检验质最致性检验应包括A组（见表4）、B组（见我们和C组（见袤的中规定的检验和试验，以及下面的规定。4.4. 1 C组检验应在初始批时开始进行，然后在生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.2 如果合问中已作规定（见6.2），制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。4.5 按验和试验方法一4时50033/110帽96检验和试验方法按表4、表5、表6和表7的规定。表4A组检验条件数值检验就试验符号方桂丁酬b出25单位LTPD 最小最大Al分组外观光缺陷5 外观及机械GJB 128 无明显锈蚀检跪2071 A2分组5 正向
10、电压VF SJ 2658.2 IF= SOmA 1.5 v 反向电流IR SJ 2355.3 VR=6V 100 A 辐射输出功率f.e SJ/Z 9014.2 IF出50mA1.0 mW IV,1.3 A3分组5 正向电压VF SJ 2658.2 T amb串“551.8 v IF= 50mA 反向电流/R SJ 2355.3 T amb= 125 1.0 mA VR=6V A4分组15 峰假发射披t主.l.p SJ 2658.12 IF= 50mA 920 960 nm 光谱辐射带宽,1). SJ 2658.12 /F= 50mA 50 nm 半强度角山SJ 2658.9 /F= 50mA
11、 30 40 (.) 表5B组检验GJB 128 LTPD 检验或试验或n(C)方法号条件Bl分组15 可得性2026 已2分组10 热冲击1051 除最高由度125.t （极限ff)lOmin外，（由度循环）其余按试验条件A叩l密封a.细检漏a.试验条件日，最大漏率古5mPa.cm3 /s b.粗检漏b.试验条件C，氟拙，125最后测试表7步骤lB3分组5 稳态工作寿命1027 /F lOOmA,t 340h 最后测试表7步骤2一5一SJ 50033/ 110叩96镇表5GJB 128 LTPD 检瞌或试验或n(C)方法号条件B4分组开帽内部现检2075 来用封帽前的样品I (0) （设计验
12、证）健合强度2037 采用封帽前的样品，强度为23mN20(0) 日5分组（不适用）B6分坦7 高晦辈子命1032 T啕125，t =340h （不工作）最后测试在7步骤2表6C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法号条件Cl分组15 外形尺寸2066 按本规能因1C2分组10 热冲击1056 试验条件A（玻璃应力）密封1071 a.细检漏a.试验搔（牛日，最大漏率5mPa, cm3 / s b.粗检漏b.试验条件C，氟泊，125锦合谊度Ii显1021 省略初始条件度周期试瞌外观及机械检验2071 外观无缺损，光明显锈蚀最后测试囊7步骤1C3分组不工作，按14700m/s2,0. 5m
13、s在Y1方向上10 冲击2016 变频振动2056 冲击5次恒定加速度2006 Yt方向，196000m/s2,lmin 最后测试表7步骤1C4分组盐气（不适用）cs分组（不适用）C6分组A且10稳态工作寿命1026 IF= lOOmA, t = lOOOh 最后测试表7步骤2一6一时50033/11096表78组和C组的测试步骤检瞌方法菇lE向电压副2658.2IF嚣SOmA反向电流SJ 2355.3 Va=6V 辐射功率SJ/Z佣14.2IF=SOmA IV, l.3 21) 正向电压SJ 2658. 2 IF=SOmA 反向电流SJ 2355. 3 Va=6V 辐射功感SJ/Z 9014
14、.2 IF=SOmA IV, 1.3 注：1)对本试验超过A组极限值的器件不能向用户提供。5 包提包装应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途可在各种精细组装的革用设备中作红外光掘。6.2 订货文件内容a. 本规甜的名科：与编号；b. 器件型号和等级；c. 数量；d. 检验数据（见4.4.3); 引出端材料（见3.3);f. 其它。6.3 定义和符号数值件符号最小最大VF 1.5 Ia 100 h 1.0 VF 1.8 Ia 200 如0.8 本规沼使用的定义和符号应按GJB33、创Z9014.2、GB11499以及下列规定：IVD：单个器件的初始值附加说明：本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规？自由长春市半导体厂负责起草。本规？在才三裹起尊人：盛固祥、孙秉盛、陈兰。计划项目代号：日410110单位v A mW v A mW 一7一
