1、南京航空航天大学硕士研究生入学考试初试致电离辐射探测学真题2014 年及答案解析(总分：150.00，做题时间：180 分钟)一、选择题（每题 6 分，共 30 分）(总题数：5，分数：30.00)1.气体探测器在测量电离辐射时，产生的电压脉冲信号是由 （分数：6.00）A.电极完全收集电子和离子后形成的；B.电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的；C.收集快电子形成的；D.收集慢离子形成的。2.下列哪个效应产生 射线能谱上的全能峰？ （分数：6.00）A.光电效应；B.康普顿散射；C.电子对效应；D.特征 X 射线。3.用电离辐射探测器测量 射线能谱时，在全能峰与康普顿边缘之间
2、除了本底造成的计数外，下列哪个因素产生计数？ （分数：6.00）A.光电效应；B.周围材料的康普顿散射；C.探测材料中多次康普顿散射；D.康普顿背散射。4.造成 G-M 管死时间的原因是 （分数：6.00）A.电子雪崩产生的大量的电子，削弱阳极的电场强度；B.电子雪崩产生的大量的正离子，削弱阳极的电场强度；C.猝熄分子终止放电；D.猝熄抑制正离子的发射。5.在半导体探测器中，PN 结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围，如何增加结区的厚度？ （分数：6.00）A.增加 P 区和 N 区的厚度；B.增加加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度；C.增加加载在 PN 结上的偏压，减
3、小半导体材料的杂质浓度；D.减小加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度二、简答和计算题（每题 15 分,共 60 分）(总题数：4，分数：60.00)6.哪些主要因素导致 PN 结漏电流的产生？（分数：15.00）_7.用正比计数管测量辐射如示意图，画出测得的微分能谱 （分数：15.00）_8.简述正比计数管中的雪崩现象。 （分数：15.00）_9.用分辨时间为 350s 的 GM 计数管测量放射性样品，发现实际测量计数率 n 是真实计数率 m 的 1/2，请根据漏计数校正的两个模型分别给出真实的计数率 m。(ln2=0.693)（分数：15.00）_三、分析题（每题 30 分,共
4、 60 分）(总题数：2，分数：60.00)10. （分数：30.00）_11. （分数：30.00）_南京航空航天大学硕士研究生入学考试初试致电离辐射探测学真题2014 年答案解析(总分：150.00，做题时间：180 分钟)一、选择题（每题 6 分，共 30 分）(总题数：5，分数：30.00)1.气体探测器在测量电离辐射时，产生的电压脉冲信号是由 （分数：6.00）A.电极完全收集电子和离子后形成的；B.电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的；C.收集快电子形成的；D.收集慢离子形成的。解析：2.下列哪个效应产生 射线能谱上的全能峰？ （分数：6.00）A.光电效应；B.康
5、普顿散射；C.电子对效应；D.特征 X 射线。解析：3.用电离辐射探测器测量 射线能谱时，在全能峰与康普顿边缘之间除了本底造成的计数外，下列哪个因素产生计数？ （分数：6.00）A.光电效应；B.周围材料的康普顿散射；C.探测材料中多次康普顿散射；D.康普顿背散射。解析：4.造成 G-M 管死时间的原因是 （分数：6.00）A.电子雪崩产生的大量的电子，削弱阳极的电场强度；B.电子雪崩产生的大量的正离子，削弱阳极的电场强度；C.猝熄分子终止放电；D.猝熄抑制正离子的发射。解析：5.在半导体探测器中，PN 结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围，如何增加结区的厚度？ （分数：6.00）A.
6、增加 P 区和 N 区的厚度；B.增加加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度；C.增加加载在 PN 结上的偏压，减小半导体材料的杂质浓度；D.减小加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度解析：二、简答和计算题（每题 15 分,共 60 分）(总题数：4，分数：60.00)6.哪些主要因素导致 PN 结漏电流的产生？（分数：15.00）_正确答案：()解析：7.用正比计数管测量辐射如示意图，画出测得的微分能谱 （分数：15.00）_正确答案：()解析：8.简述正比计数管中的雪崩现象。 （分数：15.00）_正确答案：()解析：9.用分辨时间为 350s 的 GM 计数管测量放射性样品，发现实际测量计数率 n 是真实计数率 m 的 1/2，请根据漏计数校正的两个模型分别给出真实的计数率 m。(ln2=0.693)（分数：15.00）_正确答案：()解析：三、分析题（每题 30 分,共 60 分）(总题数：2，分数：60.00)10. （分数：30.00）_正确答案：()解析：11. （分数：30.00）_正确答案：()解析：
